Journal of Vacuum Science &Technology A【Best ALD Paper Award】
Correlation between SiO2 growth rate and difference in electronegativity of metal-oxide underlayers for plasma enhanced atomic layer deposition using tris(dimethylamino)silane precursor
前田瑛里香 (技術開発・共用部門/ナノテクノロジー融合ステーション/ナノファブリケーショングループ NIMSジュニア)
生田目俊秀 (技術開発・共用部門/ナノテクノロジー融合ステーション/ナノファブリケーショングループ グループリーダー)
廣瀨雅史 (技術開発・共用部門/ナノテクノロジー融合ステーション/ナノファブリケーショングループ NIMSジュニア)
井上万里 (技術開発・共用部門/ナノテクノロジー融合ステーション/ナノファブリケーショングループ 研究業務員 )
大井暁彦 (技術開発・共用部門/ナノテクノロジー融合ステーション/ナノファブリケーショングループ 主任エンジニア)
池田直樹 (技術開発・共用部門/ナノテクノロジー融合ステーション/ナノファブリケーショングループ 主任エンジニア)