スピン波とイオンで実現!AI向け新デバイスが高性能を達成

NIMS(国立研究開発法人物質・材料研究機構)
一般財団法人ファインセラミックスセンター(JFCC)

NIMSとファインセラミックスセンターの研究チームは、スピン波(磁気の波)とイオン制御技術を組み合わせた次世代のAIデバイスを開発しました。

概要

  1. NIMSとファインセラミックスセンター(以下「JFCC」)の研究チームは、スピン波(磁気の波)とイオン制御技術を組み合わせた次世代のAIデバイスを開発しました。この新技術により、従来の技術を大きく超える高度な情報処理が可能となり、AI分野における革新が期待されます。
  2. AIデバイスの進化が進む中、低消費電力で高性能なデバイスへのニーズはますます高まっています。今回開発されたデバイスでは、磁性体「イットリウム鉄ガーネット(YIG)」にアンテナを取り付け、スピン波を発生させます。電圧をかけて注入されるイオンの量に応じてスピン波の干渉パターンを変化させ、この干渉を計算処理に活用します。この技術により、従来のデバイスを大幅に上回る計算性能が実現しました。
  3. 特に、このデバイスを用いた時系列データの予測では、従来のデバイスに比べて予測精度が大幅に向上しました。Mackey-Glass方程式を用いたテストでは、予測誤差を1桁以上低減することに成功しています。Mackey-Glass方程式は、生体内の複雑な変動をモデル化したもので、時系列データ予測の精度を測定するための標準的なテストです。
  4. この技術は、単結晶だけでなく磁性体の薄膜にも適用可能であり、小型化しても高性能を維持できるため、さまざまな産業分野での応用が期待されます。特に、各種センサーと組み合わせると、低消費電力かつ高精度なAIデバイスとして広く活用できる可能性があります。
  5. 本研究は、NIMS ナノアーキテクトニクス材料研究センター(MANA) ニューロモルフィックデバイスグループの土屋 敬志 グループリーダー、並木 航 NIMSポスドク研究員(研究当時。現同センター研究員)、西岡 大貴 研修生(研究当時。現NIMS若手国際研究センター ICYSリサーチフェロー)、 MANA イオニクスデバイスグループの寺部 一弥 グループリーダーと、 JFCC の野村 優貴 主任研究員、山本 和生 グループリーダーによる研究チームによって、防衛装備庁安全保障技術研究推進制度による支援を受けて行われました。
  6. 本研究成果は、2024年11月17日にAdvanced Science誌のオンライン版に掲載されました。
1)高速な電圧パルス入力によってスピン波を励起(情報入力)。2)水素イオンによって多様に変化したスピン波の複雑な干渉模様を記憶と計算に利用。3)生体内の複雑な変動を高精度で予測。

掲載論文

題目 : Iono-magnonic Reservoir Computing with Chaotic Spin Wave Interference Manipulated by Ion-Gating
著者 : Wataru Namiki, Daiki Nishioka, Yuki Nomura, Takashi Tsuchiya, Kazuo Yamamoto, Kazuya Terabe
雑誌 : Advanced Science
掲載日時 : 2024年11月17日
DOI : 10.1002/advs.202411777

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TEL: 029-860-4563
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