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従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー

- 人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術  -

学校法人 千葉工業大学
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
国立研究開発法人 物質・材料研究機構

千葉工業大学、産業技術総合研究所と物質・材料研究機構の研究グループは、白金ナノギャップ構造を利用し、600 ℃でも動作する不揮発性メモリー素子をはじめて開発した。

概要

千葉工業大学 (学長 小宮 一仁) 工学部 (工学部長 平塚 健一) 機械電子創成工学科 菅 洋志 助教は、国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (理事長 中鉢 良治) ナノエレクトロニクス研究部門 (研究部門長 安田 哲二) 、内藤 泰久 主任研究員、および国立研究開発法人 物質・材料研究機構 (理事長 橋本 和仁) 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 塚越 一仁 主任研究者と共同で、白金ナノギャップ構造を利用し、600 ℃でも動作する不揮発性メモリー素子をはじめて開発した。

通常のシリコン半導体を用いたメモリー素子では、バンドギャップに起因する半導体性を高温では保持できなくなり、メモリー機能を維持出来ない。今回、情報記憶部に耐熱性を有する白金ナノ構造を利用する方法によって、非常に高い温度で動作する不揮発性の抵抗変化メモリーの実現に成功した。このメモリー素子は、高温環境下でのメモリーやセンサーへの応用、たとえばフライトレコーダーや惑星探査機への応用が期待される。なお、この技術の詳細は、Springer Natureが発行する学術雑誌Scientific Reportsに論文として掲載される予定であり、10月11日付けで電子版に掲載される。

「プレスリリースの図1 :  ナノギャップメモリーの原理概要ナノピラーが成長することによりナノギャップの間隔が変化」の画像

プレスリリースの図1 : ナノギャップメモリーの原理概要
ナノピラーが成長することによりナノギャップの間隔が変化




本件に関するお問い合わせ先

学校法人 千葉工業大学 
工学部 機械電子創成工学科
助教 菅 洋志
〒275-0016 千葉県習志野市津田沼2-17-1
TEL : 047-478-0507
FAX : 047-478-0507
E-Mail: hiroshi.suga=it-chiba.ac.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
ナノエレクトロニクス研究部門
エマージングデバイスグループ
主任研究員 内藤 泰久
〒305-8565
茨城県つくば市東1-1-1 中央第5
TEL : 029-861-7892
FAX : 029-861-2576
E-Mail: ys-naitou=aist.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
超薄膜電子エレクトロニクス研究グループ
主任研究者 塚越 一仁
〒305-0044 茨城県つくば市並木1-1
TEL : 029-860-4894
FAX : 029-860-4706
E-Mail: TSUKAGOSHI.Kazuhito=nims.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
【取材に関する窓口】
学校法人 千葉工業大学 入試広報課 
〒275-0016 千葉県習志野市津田沼2-17-1
TEL : 047-478-0222
FAX : 047-478-0222
E-Mail: cit=it-chiba.ac.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
企画本部 報道室
〒305-8560 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第1 つくば本部・情報技術共同研究棟8F
TEL : 029-862-6216
FAX : 029-862-6212
E-Mail: press-ml=aist.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
経営企画部門 広報室
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
TEL: 029-859-2026
FAX: 029-859-2017
E-Mail: pressrelease=ml.nims.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)

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