宝野理事長、知京外部連携部門長によるNIMSの概要・半導体材料研究の紹介、小池社長によるRapidus社設立経緯についてのご説明に引き続き、Rapidus社の今後の半導体関連研究開発におけるNIMSとの連携について活発な意見交換が行われました。
Rapidus社は、IBMからの技術ライセンシングを受けて2020年代後半までに2nmノードクラスの半導体微細素子の製造プロセス構築を目指しています。この目標達成に向けて、多様な解析技術、試作設備活用、ナノシートなど材料開発で実績のあるNIMSと同社との連携強化が重要であるとの認識で一致しました。