ナノファブリケーショングループの前田瑛里香、生田目俊秀、廣瀬雅史、井上万里、大井暁彦、池田直樹及び芝浦工大 清野肇先生が共著の論文が、「JVST A 2019 Best ALD Paper Award」を受賞

2020.07.27 更新
American Vacuum SocietyのJournal of Vacuum Science & Technology A (JVST A)にパブリッシュされた論文の中で、原子層堆積法(ALD)に関する最優秀論文 (1報のみ) として、「JVST A 2019 Best ALD Paper Award」を受賞しました。
受賞論文は下記になります。
“Correlation Between SiO2 Growth Rate and Difference in Electronegativity of Metal-Oxide Underlayers for Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Using Tris(dimethylamino)silane Precursor,”
Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, and Hajime Kiyono | JVST A 38, 032409 (2020).

奥列左から、ナノファブリケーションG 池田直樹、生田目俊秀、大井暁彦　
前列左から、同G 井上万里、前田瑛里香、廣瀬雅史

芝浦工業大学 清野肇 教授