第93号
2019.06.12 発行
今号の内容
- 最新研究ニュース
「原子の立体地図で見えた ! 次世代半導体“GaN”の性能アップの突破口」 - 「材料のチカラ」最新インタビュー公開
難病の原因遺伝子発見者が経験した失意と、治療法開発への決意とは? - 「NIMS NOW」最新号予告
1 : 最新研究ニュース
「原子の立体地図で見えた ! 次世代半導体“GaN”の性能アップの突破口」
日本が世界をリードする次世代半導体“窒化ガリウム(GaN)”の開発に大きな進展がありました。
低損失で大電流を流せるため、省エネの切り札として期待されるGaN。電気自動車や高速通信5G向けデバイスへの応用が期待されますが、実用化には性能のよいp型のGaN半導体が必要です。Mgを注入して熱処理すればp型GaN半導体はできますが、注入したMgイオンの分布や性能の変化を詳細に観察する方法がなく、性能アップの壁になっていました。
そこでNIMSの登場です。個々の原子の分布を3次元で可視化するアトムプローブトモグラフィー法を駆使し、ある条件ではMgがGaNの欠陥にたまることを明らかにしました。さらに電気的なふるまいの測定結果と突き合わせることで、Mgが欠陥にたまることが性能があがらない原因の一端であることを示しました。
ついに見つかった性能のよいp型のGaN半導体開発への突破口。くわしくはこちら↓↓
低損失で大電流を流せるため、省エネの切り札として期待されるGaN。電気自動車や高速通信5G向けデバイスへの応用が期待されますが、実用化には性能のよいp型のGaN半導体が必要です。Mgを注入して熱処理すればp型GaN半導体はできますが、注入したMgイオンの分布や性能の変化を詳細に観察する方法がなく、性能アップの壁になっていました。
そこでNIMSの登場です。個々の原子の分布を3次元で可視化するアトムプローブトモグラフィー法を駆使し、ある条件ではMgがGaNの欠陥にたまることを明らかにしました。さらに電気的なふるまいの測定結果と突き合わせることで、Mgが欠陥にたまることが性能があがらない原因の一端であることを示しました。
ついに見つかった性能のよいp型のGaN半導体開発への突破口。くわしくはこちら↓↓
2 : ビジュアル系webサイト「材料のチカラ」最新インタビュー
難病の原因遺伝子発見者が経験した失意と、治療法開発への決意とは?
『どんな失敗も、ムダにはならない』
生まれつき骨の形成に異常をきたす難病「骨形成不全症」。いまだ治療法のないこの難病のひとつ、V型骨形成不全症の原因遺伝子を最初に発見し、その治療法の開発に取り組む研究者がNIMSにいます。医療材料の専門家である花方信孝です。
花方は、“世紀の発見に違いない”と進めていたこの遺伝子に関する研究を、かつて一度、失意のうちに断念していました。それがいま、なぜあらためて難病治療に取り組むことになったのか。
研究のリアルがここにあります。
3 : NIMS NOW最新号予告
化石燃料の枯渇、深刻化する地球温暖化・・・
これらの問題を解決する次世代エネルギーとして期待を集めるのが「水素」です。日本は2017年に「水素基本戦略」を決定し、世界に先駆けて水素社会を実現すると宣言しましたが、水素社会の実現までの大きな課題の1つ。それが、効率的な水素の液化方法の開発です。
水素の貯蔵・輸送のためには、製造した直後の気体の水素を、極低温に冷やし液体にして体積を減らす必要があります。そこでNIMSは、従来の液化技術より圧倒的なコストダウンと装置の小型化が可能な「磁気冷凍」という技術を核として、オールジャパンで革新的な水素液化技術を開発するプロジェクトを開始しました。いったいどんな技術なのか。NIMS NOW次号で徹底特集します。
7月上旬発行予定。購読申込はこちらから↓↓
これらの問題を解決する次世代エネルギーとして期待を集めるのが「水素」です。日本は2017年に「水素基本戦略」を決定し、世界に先駆けて水素社会を実現すると宣言しましたが、水素社会の実現までの大きな課題の1つ。それが、効率的な水素の液化方法の開発です。
水素の貯蔵・輸送のためには、製造した直後の気体の水素を、極低温に冷やし液体にして体積を減らす必要があります。そこでNIMSは、従来の液化技術より圧倒的なコストダウンと装置の小型化が可能な「磁気冷凍」という技術を核として、オールジャパンで革新的な水素液化技術を開発するプロジェクトを開始しました。いったいどんな技術なのか。NIMS NOW次号で徹底特集します。
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