• スピン波のカオスな振舞いによる高性能物理演算デバイス

    スピン波干渉に基づくリザバーコンピューティングを世界に先駆け実験的に実証

    参考文献

    高速・低消費電力AI機器への応用が期待されます。

  • 目の錯覚を模倣する人工視覚イオニクス素子

    目の錯覚を模倣する人工視覚イオニクス素子

    参考文献

    神経細胞の側方抑制を再現するイオニクスニューロン素子の研究を行っています。

  • イオンを利用する低消費電力スピントロニクス素子

    イオンを利用する低消費電力スピントロニクス素子

    参考文献

    磁化の向きを制御する磁気メモリ素子やニューロモルフィックデバイスへの応用を目指します。

  • イオニック・ナノアーキテクトニクス

    イオニック・ナノアーキテクトニクス

    参考文献

    イオン輸送のナノスケール制御が多様な界面機能を創出します。

  • 集積化された原子スイッチ

    集積化された原子スイッチ

    参考文献

    不揮発メモリや人工シナプスによる脳型デバイスなどへと応用がつながります。

  • 固体電解質を用いた接合型原子スイッチ

    固体電解質を用いた接合型原子スイッチ

    参考文献

    金属/固体電解質/金属構造で様々な機能を有するメモリ素子を開発します。

  • 意思決定イオニクスデバイス

    意思決定イオニクスデバイス

    参考文献

    イオニクス現象を利用してデバイス自身が学習し、最適な行動を決定します。

  • 磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタ

    磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタ

    参考文献

    磁気でイオンを輸送して電気抵抗を制御する新しい原理のトランジスタの研究を行なっています。

  • グラフェンを使ったバンドギャップ制御

    グラフェンを使ったバンドギャップ制御

    参考文献

    酸化還元反応を利用してグラフェンのバンドギャップをその場で不揮発に制御することが出来ます

  • 化学的ハンダづけ

    化学的ハンダづけ

    参考文献

    有機分子の連鎖重合反応を制御することで、単分子に導電性高分子鎖を配線することができます。

  • 化学的ハンダづけによる単分子デバイスの創製

    化学的ハンダづけによる単分子デバイスの創製

    参考文献

    従来法では得られなかった単分子デバイスを構築して、新しい機能や優れた性能を探索します。

  • 機能的な蛋白質・無機物ハイブリッド

    機能的な蛋白質・無機物ハイブリッド

    参考文献

    絹に含まれるたんぱく質(セリシン)とリン酸銅でできています。 この花は水浄化に利用できます。

世界を変える革新的なナノデバイスを創る

ナノテクノロジーと固体イオニクスを基盤として、従来の半導体デバイスでは得られなかった多様な新機能を可能にするナノイオニクスデバイスの創製を目指しています。具体的には、固体内の局所的なイオン移動の制御によるその場ナノアーキテクトニクス(ナノ建築)を利用することによって、物理的あるいは化学的作用に起因した興味深いナノ現象を発現させ、得られた特性を利用することによって新しい原理で動作するナノデバイスを創っています。これらの次世代の情報通信用ナノデバイスの基礎研究を基にして、関連企業との共同研究による実用化研究を積極的に進めています。また有機単分子や酸化物ナノワイヤなどを相互に接続したナノシステムの作製とその機能計測法の開発研究も進めています。これらにより、単分子トランジスタやナノワイヤセンサ等の機能発現を実証し、究極的に微細な単分子デバイス回路等の構築を目指しています。

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MEMRISYS 2021: 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems が開催されました

アナログとデジタルの融合を基盤とする次世代のICT, AIやIOT用のメムリスタ材料、デバイスやシステムの技術開発を主題とする国際会議(MEMRISYS 2021: 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems)が2021年11月1日から4日にオンライン開催されました. . .

募集情報

NIMSインターンシップ制度

NIMSインターンシップ制度の参加者は、我々のグループにおいて最先端の最先端のナノイオニクスデバイス開発に携わることができます。2021年度のNIMSインターンシップの公募は終了しました。2022年度の公募は2022年1月 (第1次募集) と5月 (第2次募集) を予定しております。

NIMS制度や公的制度などを利用したポスドク研究員

我々のグループで最先端のナノイオニクスデバイス開発に従事していただきます。

NIMS制度を利用した共同研究グループ

我々のグループと一緒に、NIMSの施設や装置を利用して共同研究を行っていただきます。

これらの募集に興味がある方は、寺部【TERABE.Kazuya=nims.go.jp (=を@にしてください)】までご連絡ください。

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