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光で多彩な有機トランジスタ機能を描画することに成功

~光と電圧で操作する論理演算デバイスの作製技術として期待~

国立研究開発法人 物質・材料研究機構 (NIMS)
国立大学法人 京都大学

NIMSと京都大学は共同で、光異性化分子の薄膜に光を照射することで、トランジスタ回路などさまざまなデバイスを描画することに世界で初めて成功しました。

概要

  1. 国立研究開発法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の鶴岡徹 主幹研究員、早川竜馬 主任研究員、若山裕 グループリーダーと国立大学法人京都大学工学研究科の松田建児 教授、東口顕士 助教は共同で、光異性化分子の薄膜に光を照射することで、トランジスタ回路などさまざまなデバイスを描画することに世界で初めて成功しました。光異性化分子は、光照射によって絶縁体と半導体の性質を交互に変更できるため、回路の書き換えや電流の制御も可能であり、今回の成果は、論理計算デバイスの作成技術としても期待されます。
  2. 光異性化反応とは、可視光や紫外光を照射すると分子の構造や電子状態が変化する反応です。変化後も照射する光の波長によって元にもどすことができるため、古くからメモリやセンサに応用できることが指摘されてきました。近年、有機トランジスタの中に光異性化分子を添加して、光に応答するトランジスタ素子の開発が活発になってきましたが、微量の光異性化分子を混合するだけであったため、光で誘起できる電流値の変化は2倍程度でした。一方、有機トランジスタ自身の製造技術としてフレキシブル基板に印刷で素子を作製する技術開発が進められています。しかし従来技術では有機分子が簡単に壊れてしまうため、微細化や回路設計に課題が残っていました。
  3. 本研究グループはこれまで、光異性化分子を直接トランジスタのチャネル層として使うことで1,000倍を超える電流値の制御に成功していました。これは光異性化反応と半導体特性の両方の性質をもつ新しい材料を見出したことと、光で半導体と絶縁体の性質を交互に引き出せるという新しい現象を見出したことによる成果です。今回の共同研究では、これらの成果を発展させて、絶縁体状態の光異性化分子の薄膜に極細の光を照射して、一部を半導体にすることでトランジスタ回路を描画することを試みました。
  4. 物質・材料研究機構と京都大学の共同研究グループは、独自に組み立てた光照射技術と電気特性評価技術を駆使して、ワイヤ状の一次元トランジスタチャネルを並列接合する技術、あたかもバルブで開閉するかのように局所的な光照射で電流の流れをON-OFFする光バルブ機能、Y字構造をしたトランジスタチャネルなど、これまでにない新しい動作原理やデバイス構造を実現しました。さらに、光を照射して絶縁体と半導体の性質を交互に変えることで、何度でも書き込みと消去を繰り返すことができるという要素技術 (あるいは機能) をもとに、光強度を変えることで電流を段階的に制御できる加算回路の作製にも成功しました。
  5. 今回の成果は、単に有機トランジスタの新しい作製手法であるだけでなく、これまで有機エレクトロニクスが苦手としてきた微細化や複雑な回路設計への応用が可能です。将来的には論理演算デバイスの光描画も期待できます。
  6. 本研究成果は、科研費新学術領域研究「高次複合光応答分子システムの開拓と学理の構築」の一環として得られたものです。アメリカ化学会が発行するNano Letters誌オンライン版に平成28年11月15日 (日本時間15日午後2時) に公開される予定です。

「プレスリリースの図1: 分子構造・素子構造・光照射系の模式図。分子はジアリールエテン中心骨格の両側にビフェニル基が取り付けられており、開環体では絶縁体、閉環体では半導体の性質を示す。まず開環体 (絶縁体) の薄膜をSiO2/Si基板上に作製し、その両側にソース・ドレイン電極を取り付けた。Si基板がゲート電極、SiO2膜がゲート絶縁層としてはたらく。ここに紫外光 (波長325nm) を掃引して、閉環体 (半導体) に異性化したところだけ、トランジスタチャネルとして電流が流れる。再度、可視光 (波長633nm) を照射するとチャネルは消去できる。」の画像

プレスリリースの図1: 分子構造・素子構造・光照射系の模式図。分子はジアリールエテン中心骨格の両側にビフェニル基が取り付けられており、開環体では絶縁体、閉環体では半導体の性質を示す。まず開環体 (絶縁体) の薄膜をSiO2/Si基板上に作製し、その両側にソース・ドレイン電極を取り付けた。Si基板がゲート電極、SiO2膜がゲート絶縁層としてはたらく。ここに紫外光 (波長325nm) を掃引して、閉環体 (半導体) に異性化したところだけ、トランジスタチャネルとして電流が流れる。再度、可視光 (波長633nm) を照射するとチャネルは消去できる。




本研究内容に関するお問い合わせ先

(研究内容に関すること)
国立研究開発法人 物質・材料研究機構 
国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 ナノシステム分野 ナノイオニクスグループ
主幹研究員 鶴岡 徹 (つるおか とおる)
TEL: 029-860-4117(直通)
FAX: 029-860-4790
E-Mail: TSURUOKA.Tohru=nims.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立研究開発法人 物質・材料研究機構 
国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 ナノシステム分野 量子デバイス工学グループ
グループリーダー 若山 裕 (わかやま ゆたか)
TEL: 029-860-4403 (直通)
FAX: 029-860-4916
E-Mail: WAKAYAMA.Yutaka=nims.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
国立大学法人 京都大学
教授 松田 建児 (まつだ けんじ)
TEL:075-383-2738
FAX:075-393-2739
E-Mail: kmatsuda=sbchem.kyoto-u.ac.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
(報道・広報に関すること)
国立研究開発法人 物質・材料研究機構 経営企画部門 広報室
〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
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FAX: 029-859-2017
E-Mail: pressrelease=ml.nims.go.jp
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国立大学法人 京都大学 企画・情報部 広報課 国際広報室
〒606-8501 京都府京都市左京区吉田本町36-1
TEL: 075-753-5727
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E-Mail: comms=mail2.adm.kyoto-u.ac.jp
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