今井 基晴 / 電子セラミックスグループらが、計算による半導体3d遷移金属シリサイドの電子状態、化学結合評価に関する論文を発表しました

題名Electronic structure and chemical bonding in semiconducting 3d transition-metal silicides CrSi₂, Mn₄Si₇, and β-FeSi₂

著者名Imai, Motoharu; Arai, Masao

書誌情報Jpn. J. Appl. Phys., 64(6), 61003-1–61003-6, (2025)

URLhttps://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ade487

今井 基晴 / 電子セラミックスグループらが、実験、計算を使用した系統的なSrSi₂の物性評価に関する論文を発表しました

題名Strontium disilicide SrSi₂: Narrow band gap semiconductor or Weyl semimetal?

著者名Imai, Motoharu; Udono, Haruhiko; Alinejad, Babak; Nakane, Takayuki; Takahashi, Hiroki; Arai, Masao

書誌情報J. Alloy. Compd., 1032, 181074-1–181074-9, (2025)

URLhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838825026350?via%3Dihub

寺地 徳之 / 半導体欠陥制御グループが招待講演で登壇します

開催日2025.11.30 - 12.05

URLhttps://www.mrs.org/meetings-events/annual-meetings/2025-mrs-fall-meeting

山根 崚 / 資源循環材料グループが招待講演で登壇します

開催日2025.09.28 - 10.03

URLhttps://smartconf.jp/content/airapt29/

長田 貴弘 / ナノ電子デバイス材料グループが招待講演で登壇します

開催日2025.10.12 - 16

URLhttps://www.electrochem.org/248

大橋 直樹 / 電子セラミックスグループが招待講演で登壇します

開催日2025.10.05 - 09

URLhttps://igpac2025.com/

長田 貴弘 / ナノ電子デバイス材料グループ、知京 豊裕らが、半導体素子の省電力化を目指しn酸化物半導体/p型Siトンネル電界効果トランジスタの界面制御に関する論文を発表しました。

題名Effects of interface formation process on electronic properties of n-type Ti0.3Zn0.7O1.3/p-type Si stack structure

著者名Ogawa, Kenta; Chikyow, Toyohiro; Daimon, Yuki; Ogura, Atsushi; Nagata, Takahiro

書誌情報Jpn. J. Appl. Phys., 64(5), 05SP25-1–05SP25-7, (2025)

URLhttps://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/add0be

田村 堅志 / 資源循環材料グループらが、混合溶媒によりPA11を含む多様なナイロン樹脂を室温で効率的に溶解・再生し、充填材も回収可能としたことに関する論文を発表しました。

題名Room‐Temperature Material Recycling/Upcycling of Polyamide Waste Enabled by Cosolvent‐Tunable Dissolution Kinetics

著者名Tanks, Jonathon; Tamura, Kenji

書誌情報Angew. Chem.-Int. Edit., -1–-11, (2025)

URLhttps://mdr.nims.go.jp/datasets/910dc912-2433-4644-8521-017f93cc054a

吉武 道子 / ナノ電子デバイス材料グループが、界面反応含む金属ー酸化物界面の結合を予測する汎用的方法の開発、無償ソフトInterChemBondへの実装に関する論文を発表しました。

題名General Prediction of Interface Chemical Bonding at Metal–Oxide Interface with the Interface Reaction Considered

著者名Yoshitake, Michiko

書誌情報Materials, 18(13), 3096-1–3096-17, (2025)

URLhttps://www.mdpi.com/1996-1944/18/13/3096

大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、(001)面酸化ガリウム上に結晶異方性のあるHClガスエッチングを利用したエアギャップ構造の形成に関する論文を発表しました。

題名Fabrication of air bridges on (100) β-Ga₂O₃ using crystallographic HCl gas etching

著者名Oshima, Takayoshi; Oshima, Yuichi

書誌情報AIP Adv., 15(5), 55207-1–55207-7, (2025)

URLhttps://pubs.aip.org/aip/adv/article/15/5/055207/3345950/Fabrication-of-air-bridges-on-100-Ga2O3-using

大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により(001)面β型酸化ガリウム表面にステップ＆テラス構造を形成したことに関する論文を発表しました。

題名Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga₂O₃ by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer

著者名Oshima, Takayoshi

書誌情報Jpn. J. Appl. Phys., 64(8), 88001-1–88001-5, (2025)

URLhttps://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/adf380

劉 江偉 / 半導体欠陥制御グループらが、1.7 kVを超える耐圧を持つノーマリーオフ型ホウ素ドープダイヤモンドMOSFETが作製されたに関する論文を発表しました。

題名Normally-off boron-doped diamond MOSFETs with a breakdown voltage over 1.7 kV

著者名Liu, J.; Teraji, T.; Da, B.; Koide, Y.

書誌情報Appl. Phys. Lett., 127(4), 42601-1–42601-4, (2025)

URLhttps://pubs.aip.org/aip/apl/article/127/4/042601/3356215/Normally-off-boron-doped-diamond-MOSFETs-with-a

大竹 晃浩 / 半導体エピタキシャル構造グループ、林 侑介 / 半導体エピタキシャル構造グループらが、極性制御したGaAs/Ge/GaAs{111}構造の作製に関する論文を発表しました。

題名Controlled polarity inversion in GaAs/Ge/GaAs{111} heterostructures

著者名Ohtake, Akihiro; Hayashi, Yusuke

書誌情報Appl. Phys. Lett., 126(20), 201601-1–201601-6, (2025)

URLhttps://pubs.aip.org/aip/apl/article/126/20/201601/3347176/Controlled-polarity-inversion-in-GaAs-Ge-GaAs-111

山下 良之 / ナノ電子デバイス材料グループらが、バンドン工科大学との共同研究により、ペロブスカイト構造における配位子の効果に関する論文を発表しました。

題名The effect of surface ligands on the surface chemical states and photoluminescence characteristics in cesium lead bromide perovskite nanocrystals

著者名Asharuddin, Muhammad; Hidayat, Rahmat; Nurunnizar, Adhita Asma; Nursam, Natalita Maulani; Yandri, Valdi Rizki; Arsyad, Waode Sukmawati; Suwardy, Joko; Indari, Efi Dwi; Yamashita, Yoshiyuki

書誌情報RSC Adv., 15(37), 30727–30741, (2025)

URLhttps://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/ra/d5ra05099e

廖 梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、MEMS共振子を用いた水素終端ダイヤモンドの表面脱離特性の検出に関する論文を発表しました。

題名Surface desorption properties of hydrogen-terminated diamond detected by micromechanical resonator

著者名Gu, Keyun; Zhang, Zilong; Huang, Jian; Koide, Yasuo; Koizumi, Satoshi; Liao, Meiyong

書誌情報Appl. Phys. Lett., 126(22), 221901-1–221901-6, (2025)

URLhttps://pubs.aip.org/aip/apl/article/126/22/221901/3348240/Surface-desorption-properties-of-hydrogen

廖 梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、超高感度ダイヤモンドMEMS温度計測に関する論文を発表しました。

題名Ultra-High Sensitivity, Wide-Range Thermometry Based on High-Quality Microscale Diamond Resonators

著者名Zhao, Wen; Chen, Guo; Teraji, Tokuyuki; Koide, Yasuo; Toda, Masaya; Liao, Meiyong

書誌情報Adv. Mater., -1–-10, (2025)

URLhttps://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202502012

大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、極めて狭いストライプマスクを用いた選択成長によるα型酸化ガリウムの転位密度低減に関する論文を発表しました。

題名Epitaxial lateral overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows

著者名Oshima, Yuichi; Shinohe, Takashi

書誌情報Appl. Phys. Lett., 126(20), 202104-1–202104-5, (2025)

URLhttps://pubs.aip.org/aip/apl/article/126/20/202104/3347404/Epitaxial-lateral-overgrowth-of-c-plane-Ga2O3

間野 高明 / 半導体エピタキシャル構造グループ、大竹 晃浩 / 半導体エピタキシャル構造グループらが、表面砒素原子数を制御したGaAs基板を大気中で酸化させた際の埋め込まれたナノ構造の発光特性への影響に関する論文を発表しました。

題名Effects of arsenic oxides on GaAs surfaces on photoluminescence properties of buried InGaAs quantum wells: Dependence on initial surfaces before oxidation

著者名Ma, Zhao; Mano, Takaaki; Ohtake, Akihiro; Kuroda, Takashi

書誌情報J. Appl. Phys., 137(24), 243102-1–243102-7, (2025)

URLhttps://pubs.aip.org/aip/jap/article/137/24/243102/3350691/Effects-of-arsenic-oxides-on-GaAs-surfaces-on

長田 貴弘 / ナノ電子デバイス材料グループらが、GaN表・界面のフッ化ニトロシルガス処理効果の硬Ｘ線光電子分光解析と電子機能向上に関する論文を発表しました。

題名Effects of nitrosyl fluoride based gas treatment on fluorination and redox reaction at GaN surface and Pt/GaN interface

著者名Nagata, Takahiro; Matsuda, Asahiko; Teramoto, Takashi; Gerlach, Dominic; Shen, Peng; Ueda, Shigenori; Kimura, Takako; Dussarrat, Christian; Chikyow, Toyohiro

書誌情報JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 137(9), 95304-1-95304-, (2025)

URLhttps://pubs.aip.org/aip/jap/article/137/9/095304/3338311/Effects-of-nitrosyl-fluoride-based-gas-treatment

鈴木 達 / 多結晶光学材料グループ、バジルキフ オレグ / 多結晶光学材料グループらが、高配向性粒子で組織化されたMgB2多結晶体を合成する有用な手法を開発、これらの試料で臨海電流密度、非可逆磁場、およびピン止め特性でMgB2粒子配向による異方性が観察されたことに関する論文を発表しました。

題名Towards high degree of c-axis orientation in MgB2

著者名M. A. Grigoroscuta, G. Aldica, M. Burdusel, V. Sandu, A. Kuncser, I. Pasuk, A. Ionescu, T.S. Suzuki, O. Vasylkiv, P. Badica

書誌情報Journal of Magnesium and Alloys, 10[8]Aug, 2173-2184, (2022)

URLhttps://doi.org/10.1016/j.jma.2021.10.013

バジルキフ オレグ / 多結晶光学材料グループらが、2000℃までの温度での変形に対する耐性を持つナノおよびマイクロスケールでの高エントロピーTi、Ta、Hf、Zr多相ダイボライドの調製と分析に関する論文を発表しました。

題名High-Entropy Ti, Zr, Hf, Ta Multiphase Diboride with Deformation Resistance up to 2000℃

著者名Badica, Petre; Grigoroscuta, Mihai Alexandru; Kuncser, Andrei Cristian; Vasylkiv, Oleg

書誌情報ADVANCED ENGINEERING MATERIALS, -1--, (2025)

URLhttps://http://dx.doi.org/10.1002/adem.202402723

大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループ、大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、(011)面β型酸化ガリウムにおいて、非プラズマHClガスエッチングで、損傷の少ないほぼ垂直な加工に成功したことに関する論文を発表しました。

題名Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga₂O₃

著者名Oshima, Takayoshi; Oshima, Yuichi

書誌情報JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,　64(1),　18003-1-18003-, (2022)

URLhttps://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ada706

廖 梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、ダイヤモンドMEMS磁気センサーの展望に関する論文を発表しました。

題名A perspective on diamond MEMS magnetic sensors

著者名Zhang, Zilong; Gu, Keyun; Toda, Masaya; Liao, Meiyong

書誌情報APPLIED PHYSICS LETTERS, 126(10),　100501-1-100501-,　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1063/5.0255014

廖 梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、水素とオゾン処理によるIb型ダイヤモンド光検出器の光応答性能の制御に関する論文を発表しました。

題名Photo-response performance regulation of a type-Ib diamond-based photodetector by H₂ annealing and ozone treatment

著者名Gu, Keyun; Zhang, Zilong; Ohsawa, Takeo; Imura, Masataka; Huang, Jian; Koide, Yasuo; Liao, Meiyong

書誌情報JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 13(13),　6816-6822,　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1039/d4tc05169f

廖 梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、GaN/ダイヤモンド界面におけるフォノン熱輸送に対する表面空孔欠陥の影響に関する論文を発表しました。

題名Effect of surface vacancy defects on the phonon thermal transport across GaN/diamond interface

著者名Wu, Kongping; Cheng, Renxiang; Zhang, Leng; Wang, Wenxiu; Li, Fangzhen; Liao, Meiyong

書誌情報SURFACES AND INTERFACES,　56,　105666-1-105666-,　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1016/j.surfin.2024.105666

エスティリ メディ / 高機能光学セラミックスグループ、鈴木 達 / 高機能光学セラミックスグループらが、150℃でのPL輝度が93%となる白色LED用の橙黄色を発光する単相α-SiAlON蛍光体の合成に関する論文を発表しました。

題名Robust and orange-yellow-emitting Sr-rich polytypoid α-SiAlON (Sr3Si24Al6N40:Eu2+) phosphor for white LEDs

著者名Estili, Mehdi; Xie, Rong-Jun; Takahashi, Kohsei; Funahashi, Shiro; Suzuki, Tohru S.; Hirosaki, Naoto

書誌情報SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS,　25(1),　2396276-1-2396276-19,　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1080/14686996.2024.2396276

大橋 直樹 / 電子セラミックスグループらが、放射光X線回折、第一原理計算等を活用した、金属クラスター錯体の結晶構造の乱れと水分子の侵入の関係、特に、結晶構造の乱れの原因に関する論文を発表しました。

題名Unraveling the Origin of Unusual Cs Atom Disorder in Cesium Octahedral Molybdenum Halide Cluster Compounds, Cs2[{Mo6Xi 8}Xa 6] (X = Cl and Br)

著者名Saito, Norio; Cordier, Stephane; Ohsawa, Takeo; Saito, Noriko; Takei, Takahiro; Grasset, Fabien; Cross, Jeffrey Scott; Ohashi, Naoki

書誌情報INORGANIC CHEMISTRY,　-1-10,　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.4c04648

李 継光 / 多結晶光学材料グループらが、青色光励起下での近赤外発光において得られる、高い量子効率と熱安定性を示す新規蛍光体に関する論文を発表しました。

題名Ca2+/Si4+ Modification of the (Gd,Lu)AG Garnet for Enhanced Broadband Cr3+ Luminescence of High Thermal Stability

著者名Wang, Yun; Pan, Zhiyuan; Feng, Sihan; Gao, Lijie; Wang, Xuejiao; Zhu, Qi; Li, Ji-Guang

書誌情報INORGANIC CHEMISTRY,　63(52),　24971-24983,　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.4c04702

大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループ、大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、酸化ガリウムパワー半導体に対して、安全で毒性のないフォーミングガスで結晶異方性エッチングを実施することに関する論文を発表しました。

題名Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga2O3 using forming gas under atmospheric pressure

著者名Oshima, Takayoshi; Togashi, Rie; Oshima, Yuichi

書誌情報SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS,　25(1),　2378683-1-2378683-8,　(2022)

URL 1http://dx.doi.org/10.1080/14686996.2024.2378683

URL 2https://mdr.nims.go.jp/concern/publications/gm80j2452

島村 清史 / 光学単結晶グループらが、X線シンチレーター材料としての高密度の ニオブ添加タンタル酸イットリウム(Nb:YTaO4)の結晶成長に関する論文を発表しました。

題名High-density Nb:YTaO4 single crystals for X-ray scintillation

著者名Zhou, Yueshen; Yuan, Dongsheng; Villora, Encarnacion G.; Nakauchi, Daisuke; Kato, Takumi; Kawaguchi, Noriaki; Yanagida, Takayuki; Shimamura, Kiyoshi

書誌情報CRYSTENGCOMM,　-1--9,　(2022)

URLhttps://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/ce/d4ce00848k

大竹 晃浩 / 半導体エピタキシャル構造グループらが、走査型トンネル顕微鏡を用いた、InAsの(001), (111)A, ならびに (111)B面の表面モフォロジーに関する論文を発表しました。

題名Arsenic-flux dependence of surface morphology in InAs homoepitaxy

著者名Ohtake, Akihiro; Kawazu, Takuya; Mano, Takaaki

書誌情報JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A,　42(6),　62702-1-62702-8,　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1116/6.0003957

廖梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、表面状態と深部欠陥の協調効果を用いた低電圧、高量子効率ダイヤモンド深紫外線光検出器に関する論文を発表しました。

題名Synergistic Effect of Surface States and Deep Defects for Ultrahigh Gain Deep-Ultraviolet Photodetector with Low-Voltage Operation

著者名Gu, Keyun; Wu, Kongping; Zhang, Zilong; Ohsawa, Takeo; Huang, Jian; Koide, Yasuo; Toda, Masaya; Liao, Meiyong

書誌情報ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS　(2022)

URLhttp://dx.doi.org/10.1002/adfm.202420238