ナノ電子デバイス材料グループの長田 貴弘らが、GaN表・界面のフッ化ニトロシルガス処理効果の硬Ｘ線光電子分光解析と電子機能向上に関する論文を発表しました。

題名 Effects of nitrosyl fluoride based gas treatment on fluorination and redox reaction at GaN surface and Pt/GaN interface

著者名 Nagata, Takahiro; Matsuda, Asahiko; Teramoto, Takashi; Gerlach, Dominic; Shen, Peng; Ueda, Shigenori; Kimura, Takako; Dussarrat, Christian; Chikyow, Toyohiro

書誌情報 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 137(9), 95304-1-95304-, (2025)

URL https://pubs.aip.org/aip/jap/article/137/9/095304/3338311/Effects-of-nitrosyl-fluoride-based-gas-treatment

多結晶光学材料グループの鈴木 達、バジルキフ オレグらが、高配向性粒子で組織化されたMgB2多結晶体を合成する有用な手法を開発、これらの試料で臨海電流密度、非可逆磁場、およびピン止め特性でMgB2粒子配向による異方性が観察されたことに関する論文を発表しました。

題名 Towards high degree of c-axis orientation in MgB2

著者名 M. A. Grigoroscuta, G. Aldica, M. Burdusel, V. Sandu, A. Kuncser, I. Pasuk, A. Ionescu, T.S. Suzuki, O. Vasylkiv, P. Badica

書誌情報 Journal of Magnesium and Alloys, 10[8]Aug, 2173-2184, (2022)

URL https://doi.org/10.1016/j.jma.2021.10.013

多結晶光学材料グループのバジルキフ オレグらが、2000℃までの温度での変形に対する耐性を持つナノおよびマイクロスケールでの高エントロピーTi、Ta、Hf、Zr多相ダイボライドの調製と分析に関する論文を発表しました。

題名 High-Entropy Ti, Zr, Hf, Ta Multiphase Diboride with Deformation Resistance up to 2000℃

著者名 Badica, Petre; Grigoroscuta, Mihai Alexandru; Kuncser, Andrei Cristian; Vasylkiv, Oleg

書誌情報 ADVANCED ENGINEERING MATERIALS, -1--, (2025)

URL https://http://dx.doi.org/10.1002/adem.202402723

超ワイドギャップ半導体グループの大島 孝仁、大島 祐一らが、(011)面β型酸化ガリウムにおいて、非プラズマHClガスエッチングで、損傷の少ないほぼ垂直な加工に成功したことに関する論文を発表しました。

題名 Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga₂O₃

著者名 Oshima, Takayoshi; Oshima, Yuichi

書誌情報 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,　64(1),　18003-1-18003-, (2022)

URL https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ada706

超ワイドギャップ半導体グループの廖 梅勇らが、ダイヤモンドMEMS磁気センサーの展望に関する論文を発表しました。

題名 A perspective on diamond MEMS magnetic sensors

著者名 Zhang, Zilong; Gu, Keyun; Toda, Masaya; Liao, Meiyong

書誌情報 APPLIED PHYSICS LETTERS, 126(10),　100501-1-100501-,　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1063/5.0255014

超ワイドギャップ半導体グループの廖 梅勇らが、水素とオゾン処理によるIb型ダイヤモンド光検出器の光応答性能の制御に関する論文を発表しました。

題名 Photo-response performance regulation of a type-Ib diamond-based photodetector by H₂ annealing and ozone treatment

著者名 Gu, Keyun; Zhang, Zilong; Ohsawa, Takeo; Imura, Masataka; Huang, Jian; Koide, Yasuo; Liao, Meiyong

書誌情報 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 13(13),　6816-6822,　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1039/d4tc05169f

超ワイドギャップ半導体グループの廖 梅勇らが、GaN/ダイヤモンド界面におけるフォノン熱輸送に対する表面空孔欠陥の影響に関する論文を発表しました。

題名 Effect of surface vacancy defects on the phonon thermal transport across GaN/diamond interface

著者名 Wu, Kongping; Cheng, Renxiang; Zhang, Leng; Wang, Wenxiu; Li, Fangzhen; Liao, Meiyong

書誌情報 SURFACES AND INTERFACES,　56,　105666-1-105666-,　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1016/j.surfin.2024.105666

高機能光学セラミックスグループのエスティリ メディ、鈴木 達らが、150℃でのPL輝度が93%となる白色LED用の橙黄色を発光する単相α-SiAlON蛍光体の合成に関する論文を発表しました。

題名 Robust and orange-yellow-emitting Sr-rich polytypoid α-SiAlON (Sr3Si24Al6N40:Eu2+) phosphor for white LEDs

著者名 Estili, Mehdi; Xie, Rong-Jun; Takahashi, Kohsei; Funahashi, Shiro; Suzuki, Tohru S.; Hirosaki, Naoto

書誌情報 SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS,　25(1),　2396276-1-2396276-19,　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1080/14686996.2024.2396276

電子セラミックスグループの大橋 直樹らが、放射光X線回折、第一原理計算等を活用した、金属クラスター錯体の結晶構造の乱れと水分子の侵入の関係、特に、結晶構造の乱れの原因に関する論文を発表しました。

題名 Unraveling the Origin of Unusual Cs Atom Disorder in Cesium Octahedral Molybdenum Halide Cluster Compounds, Cs2[{Mo6Xi 8}Xa 6] (X = Cl and Br)

著者名 Saito, Norio; Cordier, Stephane; Ohsawa, Takeo; Saito, Noriko; Takei, Takahiro; Grasset, Fabien; Cross, Jeffrey Scott; Ohashi, Naoki

書誌情報 INORGANIC CHEMISTRY,　-1-10,　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.4c04648

多結晶光学材料グループの李 継光らが、青色光励起下での近赤外発光において得られる、高い量子効率と熱安定性を示す新規蛍光体に関する論文を発表しました。

題名 Ca2+/Si4+ Modification of the (Gd,Lu)AG Garnet for Enhanced Broadband Cr3+ Luminescence of High Thermal Stability

著者名 Wang, Yun; Pan, Zhiyuan; Feng, Sihan; Gao, Lijie; Wang, Xuejiao; Zhu, Qi; Li, Ji-Guang

書誌情報 INORGANIC CHEMISTRY,　63(52),　24971-24983,　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.4c04702

超ワイドギャップ半導体グループの大島 孝仁、大島 祐一らが、酸化ガリウムパワー半導体に対して、安全で毒性のないフォーミングガスで結晶異方性エッチングを実施することに関する論文を発表しました。

題名 Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga2O3 using forming gas under atmospheric pressure

著者名 Oshima, Takayoshi; Togashi, Rie; Oshima, Yuichi

書誌情報 SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS,　25(1),　2378683-1-2378683-8,　(2022)

URL 1 http://dx.doi.org/10.1080/14686996.2024.2378683

URL 2 https://mdr.nims.go.jp/concern/publications/gm80j2452

光学単結晶グループの島村 清史らが、X線シンチレーター材料としての高密度の ニオブ添加タンタル酸イットリウム(Nb:YTaO4)の結晶成長に関する論文を発表しました。

題名 High-density Nb:YTaO4 single crystals for X-ray scintillation

著者名 Zhou, Yueshen; Yuan, Dongsheng; Villora, Encarnacion G.; Nakauchi, Daisuke; Kato, Takumi; Kawaguchi, Noriaki; Yanagida, Takayuki; Shimamura, Kiyoshi

書誌情報 CRYSTENGCOMM,　-1--9,　(2022)

URL https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/ce/d4ce00848k

半導体エピタキシャル構造グループの大竹 晃浩らが、走査型トンネル顕微鏡を用いた、InAsの(001), (111)A, ならびに (111)B面の表面モフォロジーに関する論文を発表しました。

題名 Arsenic-flux dependence of surface morphology in InAs homoepitaxy

著者名 Ohtake, Akihiro; Kawazu, Takuya; Mano, Takaaki

書誌情報 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A,　42(6),　62702-1-62702-8,　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1116/6.0003957

超ワイドギャップ半導体グループの廖梅勇らが、表面状態と深部欠陥の協調効果を用いた低電圧、高量子効率ダイヤモンド深紫外線光検出器に関する論文を発表しました。

題名 Synergistic Effect of Surface States and Deep Defects for Ultrahigh Gain Deep-Ultraviolet Photodetector with Low-Voltage Operation

著者名 Gu, Keyun; Wu, Kongping; Zhang, Zilong; Ohsawa, Takeo; Huang, Jian; Koide, Yasuo; Toda, Masaya; Liao, Meiyong

書誌情報 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS　(2022)

URL http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202420238