ナノ電子デバイス材料グループ | 電子・光機能材料研究センター

ナノ電子デバイス材料グループ

グループリーダー

グループメンバー

目的

半導体デバイスの微細化・高集積化に加え、AI、IoT、パワーエレクトロニクスの発展に伴い、デバイス性能を支える薄膜電子材料と異種材料界面の重要性はますます高まっています。本グループでは、誘電体、半導体、機能性酸化物などを対象に、薄膜合成から構造・物性評価、界面電子状態解析までを一貫して進めています。さらに、コンビナトリアル合成、自動計測、データ科学・AI、Operando解析を融合し、材料探索の高速化と、材料・プロセス・界面・デバイス特性の相関解明を推進します。これらを通じて、次世代ナノエレクトロニクスを支える新規薄膜材料・界面技術の創出と、その研究開発基盤の構築を目指します。

アプローチ

  • データ駆動型手法による高機能誘電体薄膜材料の開発
    高性能誘電体には、高誘電率、高温安定性、低損失など複数特性の両立が求められます。私たちは、コンビナトリアル薄膜合成、自動マッピング計測、MI・AIを融合し、材料・プロセス空間を効率的に探索しています。組成・構造・物性の相関を材料設計へフィードバックし、複数特性を最適化するデータ駆動型材料開発を推進しています。
  • Operando光電子分光による先端半導体界面の解析と制御
    先端デバイスでは、異種材料界面の電子状態や欠陥が性能・信頼性を左右します。私たちは、Multi-energy、Bias、Temperatureを組み合わせたOperando-HAXPESにより、埋もれた界面の電子・化学状態を動作環境下で解析しています。その知見を材料・プロセスへフィードバックし、界面の「理解」から「制御・設計」へ展開するInterface Engineeringを推進しています。

コンビナトリアル薄膜合成装置

コンビナトリアルPLD装置
パスカル社
酸・窒化物薄膜

コンビナトリアルスパッタ装置

酸・窒化物薄膜

コンビナトリアルイオンビームスパッタ装置

非酸化物薄膜

コンビナトリアルスパッタ装置

化合物材料全般

コンビナトリアル物性評価装置

マテリアルシーケンサー
NIMSオリジナル
自動多物性測定装置

2次元XRD装置
Bruker D8 DISCOVER

蛍光X線装置
Shimadzu μEDX-1400

セミオートプローバー
Hisol HSP100, Keysight B1500A
加熱加速試験対応

4探針法抵抗率/シート抵抗測定装置
NAPSON RT3000-RG80

プロセス用装置

卓上型ランプ加熱装置(RTA)
アドバンス理工 MILA-3000, MILA-5000
最高温度1200℃, 酸素, 窒素, アルゴン, 真空, 水素

石英雰囲気炉
アズワン TMF-500N
最高温度1200℃, 酸素, 窒素, アルゴン, 真空

超小型高温管状雰囲気炉
フルテック FT-01VAC-1630
最高温度1550℃, 酸素, 窒素, アルゴン, 真空

スパッタ装置
パスカル社
電極形成

2元蒸着装置
パスカル社
電極形成

ソフトエッチング装置
メイワフォーシス SEDE-GE
酸素, アルゴンガスプラズマ

基礎物性評価装置

極低温電気特性評価システム
システムブレイン 冷凍機プローバー
4K~室温

高温電気特性評価システム
AXIS 高温-液体窒素ステージ交換型プローバー
室温~800K、組み換えで70K~500K

ホール効果測定システム
Keithley Model7065ベースシステム,
AXIS クライオスタット

雰囲気可変原子間力顕微鏡
SII e-Sweep, Hitachi AFM5000II
KFM, PRM, SSRM, SNDM対応

接触角計
協和界面科学 DMo-502

ダイナミック超微小硬度計
Shimadzu DUH-211SR

長田 貴弘(ながた たかひろ) / グループリーダー


データ駆動型材料開発とOperando界面科学 ― 次世代電子材料の探索・理解・制御 ―

概要

次世代半導体デバイスでは、材料そのものの高性能化に加え、ナノスケールの異種材料界面における電子状態や欠陥、電位分布を理解・制御することが重要です。私たちは、「データ駆動型手法による高機能誘電体薄膜材料の開発」と「Operando光電子分光による先端半導体界面の解析と制御」を二つの柱として研究を進めています。コンビナトリアル薄膜合成、自動計測、マテリアルズ・インフォマティクス(MI)による材料探索と、硬X線光電子分光(HAXPES)による動作環境下での界面電子状態解析を融合し、材料探索から界面形成、デバイス評価までをつなぐ研究を推進しています。

特徴
  • コンビナトリアル薄膜合成により、多元素・多組成の材料空間を一枚の基板上で系統的かつ高速に探索
  • 組成・構造・電気特性などを同一基板上で取得する高精度自動マッピング計測技術を構築
  • 自動計測、データ基盤、MI・AIを融合したデータ駆動型薄膜材料探索を推進
  • 高誘電率だけでなく、温度安定性・誘電損失・リーク電流・絶縁特性を考慮した多目的誘電体材料探索を展開
  • Multi-energy、Bias、Temperatureを組み合わせた多次元Operando-HAXPESにより、埋もれた界面の電位・化学状態を解析
  • 材料・界面を「観察・評価」するだけでなく、得られた知見を材料・プロセスへフィードバックするInterface Engineeringへ展開
主な研究 1

データ駆動型手法による高機能誘電体薄膜材料の開発

高性能誘電体には、高誘電率に加えて、薄膜化、高温安定性、低誘電損失、低リークなど複数特性の両立が求められます。私たちは、多組成傾斜薄膜を形成するコンビナトリアル合成、自動マッピング計測、MI・AIを組み合わせ、多次元の材料・プロセス空間を効率的に探索しています。A2B2O7系酸化物では組成と結晶構造を制御し、Sr2Ta2O7–La2Ti2O7系において比誘電率100以上と室温~300℃で10%以下の誘電率変化を両立しました。さらに、多元素化による特性向上や非酸化物high-k材料へ探索領域を拡張し、複数物性を同時最適化するデータ駆動型誘電体開発を進めています。

主な研究 2

Operando光電子分光による先端半導体界面の解析と制御

先端デバイスでは、誘電体/半導体などの埋もれた界面における電子状態や欠陥、電位分布がデバイス性能や信頼性を大きく左右します。私たちは、硬X線光電子分光(HAXPES)に測定エネルギー、バイアス印加、温度制御を組み合わせ、デバイス動作環境下における界面電子状態を非破壊で解析するOperando計測技術を開発しています。In2O3/Al2O3薄膜トランジスタでは、動作時に生じる局所的なband bendingや電子状態変化を直接観察しました。またGaNでは、フッ素系表面処理によるGa–F結合形成と界面電子状態の変化を明らかにしています。これらを通じて、界面を「観察する」だけでなく、電子状態や欠陥を理解・制御し、材料・プロセス設計へフィードバックするInterface Engineeringへ研究を展開しています。

まとめ

私たちは、Materials DiscoveryとOperando Interface Scienceの融合により、材料探索から界面の理解・制御までを一体化した電子材料研究を目指しています。今後は、コンビナトリアル合成、自動計測、MI・AIを連携したclosed-loop型材料探索を高度化するとともに、Multi-energy・Bias・Temperatureを組み合わせたOperando-HAXPESを酸化物半導体、二次元半導体などへ展開します。材料探索 → 界面形成 → Operando解析 → デバイス評価 → 材料・プロセス設計へのフィードバックという研究サイクルを構築し、次世代エレクトロニクスを支える高性能・高信頼性材料と界面技術の創出を目指します。

柳生 進二郎(やぎゅう しんじろう)


材料評価自動システムの開発

概要

材料の高機能化に伴い、多岐にわたる評価が必要とされている。一方で、材料特性のトレードオフを適切に把握するためには俯瞰的視点による解析も求められている。
この課題を解決するために、高機能化にかかわる専門的な評価測定に加え、簡便で多様な測定装置を組み合わせることが考えられる。本研究では、簡便で多様な測定装置を組み合わせを実現するために各評価装置について小型・モジュール化を行うとともに、全体として統一したデータの取得を行うマテリアルシーケンサーシステムの開発を行った。
さらに、計測によって大量のスペクトルが生成されるため、その自動解析技術(アルゴリズムと実装)の開発を行っている。特にべき乗則で従うスペクトルについて、その閾値を自動で推定するアルゴリズムについての開発を行った。

特徴
  • 基本的な特性(光学特性、電気特性、磁気特性)を大気中自動計測システムの開発
  • 磁気特性(軟磁性・強磁性)を評価するKerr効果装置の小型化
  • 測定で得られるべき乗則に従うスペクトルの自動解析アルゴリズムとその実装
主な研究 1

簡易自動計測システム

無機材料の様々な評価を自動で連続して行う“マテリアルシーケンサー”の開発を行った。写真は装置外観である。
このシステムは、俯瞰的に高機能化する材料を考えるために、簡易的な装置を用いて多様な評価を行ういわば”材料の健康診断”として設計されている。機械学習分析などの利用を前提として評価データは収集・統合される。各測定装置は、およそ30cm角のスペースに収められ、試料へのアクセス方法や制御の入出力などモジュール化されている。試料は、0.5インチサイズの無機材料を対象としている。
現在、画像測定、反射測定、抵抗測定、磁気Kerr効果測定を行うことができる。磁気Kerr効果装置は、このスペースに収めるためにパルスマグネットを用いて小型化されている。

多機能計測装置の外観と各ユニット。上はアルミフレームで組まれた全長一メートル超の装置全体像。下は磁気光学カー効果(モーク)測定、電気測定、光学測定、試料撮影を担う四枚の近接写真。一つの装置内で、同一試料に対して磁気・電気・光学の複合的な評価をシームレスに行えるシステム構成です。
主な研究 2

べき乗則で解釈可能な物測定スペクトルの自動解析

理現象のスペクトルの自動解析技術について開発を行った。べき乗則で解釈するスペクトルデータでは、立ち上がり閾値とべき乗の乗数がパラメータである。例えば、超電導材料における電流電圧測定による臨界電流密度、可視紫外吸光度におけるバンドギャップ、光電子収量分光測定におけるイオン化ポテンシャルなどがある。
図はべき乗数及び閾値を推定するアルゴリズムとそのシミュレーションを示す。べき乗スペクトルは両対数プロットで解析が行われるが、閾値が移動すると単純に両対数を取ると適切なべき乗数を推定することができない。そこで、移動量も加味したプロットに直すことで推定することができる。
また、ある現象に対してべき乗数が固定されている場合には、拡張したReLU関数と絶対誤差法によるFittingにより閾値を推定することができる。

べき乗解析のフローとシミュレーション。左は繰り返し計算で決定係数を一に近づける手順。中央上は、ワイは、エー、かける、かっこ、エックス、マイナス、ビー、かっことじの、シー乗、プラス、ディー、という数式。右は赤い曲線のべき乗グラフが、指数の逆数計算により、ビーの地点から立ち上がる青い直線へ線形化される様子です。
まとめ
  • 俯瞰的な材料評価のための簡易計測装置群及びシステムの開発
  • 磁性特性の有無を判定するパルスマグネットを用いた小型Kerr装置の開発
  • べき乗則に従うスペクトルの自動解析アルゴリズムの開発

山下 良之(やました よしゆき)


材料特異点の物性解明

概要

材料における特異点は機能性材料の特性を決める。具体的には絶縁体/半導体界面、金属/半導体界面、欠陥、触媒、半導体のドーパントが特異点にあたる。
一般的に材料中の特異点は密度が低く、その物性を明らかにすることは非常に困難である。そこで我々は、X線吸収発光分光法、光電子ホログラフィー法を用いて、特異点に吸収する光を入射してそこから発光する光、電子、及びホログラフィ像を用いる事により、特異点の原子構造、化学状態を明らかにすることを行っている。
また、特異点の物性を正確に理解する為に材料が動作した状態で物性測定を行ってもいる。

特徴
  • X線吸収発光法による固体界面の物性抽出
  • 光電子ホログラフィ法による物質特異点の原子構造、化学状態解明(欠陥、触媒活性点、ドーパントの活性・不活性原子等)
  • 材料が動作下した状態での物性測定
主な研究

Siドープしたk-Ga2O3のユニットセル中には3種類のGaサイトが存在するが、ドーパントとしてどのGaサイトにSiが入るかわかっていない。光電子ホログラフィ法の原子像再生によりドーパントSiの置換サイトはトリゴナルサイトであることがわかった。

  1. 本手法はSiC、GaN、Ga2O3に既に展開している。Pt/SiO2/4H-SiCデバイスが動作する状態でのバルク敏感光電子分光法により、基板から界面への電子のやりとりを調べた。また、理論計算を併用することにより、界面の欠陥の構造・電子状態を明らかにした。
  2. X線吸収発光分光法によりSiO2/Si界面の化学状態に応じた価電子状態、界面近傍における誘電率変化を明らかにした。今後はコンビナトリアル手法で材料開発を行い、界面や原子特異点の物性を効率的に明らかにすることを行っていく。
光電子ホログラフィによる次世代半導体の解析図。左はシリコン二ピー軌道から再生された幾何学的な原子像。右はシリコン添加カッパ型酸化ガリウムの結晶モデルと、サイト候補である五・六・四配位の構造。ホログラフィにより、シリコンが青色の「五配位(ペンタヘドラル)サイト」を占有する様子を視覚化しています。

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動作中のデバイス内部を解析する手法。左は白金、二酸化シリコン、炭化ケイ素を積層した構造の断面図。約六キロ電子ボルトのエックス線を照射し界面の光電子を検出する仕組み。右はシリコンの一エス軌道の光電子スペクトル。マイナス二・四からプラス二ボルトの電圧変化に応じ、二つのピークがシフトする様子を五色の曲線で示しています。

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まとめ

物質の特異点の原子構造を光電子ホログラフィ法、X線吸収発光分光法により明らかにした。まだデバイスが動作した状態で光電子分光法を適用することにより、界面の欠陥の動的振る舞いを明らかにした。
今後はコンビナトリアル手法を用いて材料開発を行い、物質の特異点の物性を効率的に明らかにすることを行っていきたい。

2026年 現在のメンバー

特任研究員

吉武 道子(よしたけ みちこ)  YOSHITAKE.Michiko@nims.go.jp

博士研究員

INDARI EfiDwi(インダリ エフィダウィ)  INDARI.EfiDwi@nims.go.jp

NIMSジュニア研究員

渡邉 允晴(わたなべ まさはる)  WATANABE.Masaharu@nims.go.jp

TOOSHIL Abul(トゥーシール アブル)  TOOSHIL.Abul@nims.go.jp

テクニカルスタッフ

河野 敬(こうの たかし)  KONO.Takashi@nims.go.jp

中根 一晃(なかね かずあき)  NAKANE.Kazuaki@nims.go.jp

小林 智子(こばやし ともこ)  KOBAYASHI.Tomoko@nims.go.jp

小川 亜矢子(おがわ あやこ)  OGAWA.Ayako@nims.go.jp

蟹江 湊人(かにえ みなと)  KANIE.Minato@nims.go.jp

派遣職員 / 技術系

松下 美智世(まつした みちよ)  MATSUSHITA.Michiyo@nims.go.jp

電子・光機能材料研究センターの研究分野
 機能材料分野 
 光学材料分野