従来圧電体と異なり高温で圧電動作し、単結晶育成が困難とされるCTAS単結晶を得た。
高温での圧電動作に有利な、400℃で1011Ω・cmという、LTGAと比較しても高い抵抗率を示す。可視~赤外までの幅広い波長域で高出力全固体レーザー用として有用な単結晶を育成。レーザー加工機やEye-Safeレーザーなど、各種の展開が期待される。
新しい単結晶材料の設計とバルク単結晶化、それらの評価とデバイス化に関する研究を進めています。レーザー・非線形光学結晶、磁気光学結晶、シンチレーター結晶など光学関連単結晶を中心に、ワイドバンドギャップ半導体や圧電・強誘電体単結晶など、バルク単結晶に関する次世代を担う応用分野全般を対象としています。酸化物からハライド、窒化物まで、様々な材料系にも挑戦し、それぞれに適した結晶成長技術開発も行っています。
大学・研究機関、企業との連携を進めると同時に積極的な国際交流を推し進め、常に新しい観点からの、基礎から実用化まで幅のある研究を目指しています。
従来圧電体と異なり高温で圧電動作し、単結晶育成が困難とされるCTAS単結晶を得た。
高温での圧電動作に有利な、400℃で1011Ω・cmという、LTGAと比較しても高い抵抗率を示す。可視~赤外までの幅広い波長域で高出力全固体レーザー用として有用な単結晶を育成。レーザー加工機やEye-Safeレーザーなど、各種の展開が期待される。
従来を上回る特性を示し、かつ大型結晶育成が可能な材料を考案し、そのバルク単結晶育成と特性の実証を進めている。
こうした基礎研究の継続とデバイス製作、試験を平行して行っていきたい。
硫化物の特徴として、酸化物等に比べて、赤外域まで透過する優れた光学特性がある。そのため、赤外域で用いられる光学デバイス材料として有望である。また、光学用途以外として、熱電材料、太陽電池材料としても、期待されている。さらに、近年は2Dマテリアルとしても、再注目されている。本研究においては、蒸留精製した自家製の高純度硫黄を用いている。
これまでに育成に成功した硫化物単結晶として、SnS、AgBiS2、GeS、GaS等がある。
硫化物の優れた特性として以下が挙げられる。
これまで水平型温度勾配炉内徐冷法によりSnS単結晶、徐冷法によりAgBiS2単結晶、溶融GeSソースを用いた蒸気輸送法によりGeS単結晶、ブリッジマン法によりGaS単結晶を育成した。
GaS単結晶は14µmまで透過域があることが分かり、赤外域の光学材料として用途が考えらる。また、SnS、GeS、GaSは2Dマテリアルでもある。
2D-SnSはPb(Zr, Ti)O3:PZTに匹敵する圧電特性を示すことが理論的に予測されている。実際にSnS単結晶を用いて、2D-SnSの圧電特性についての共同研究を行っている。
これまで、種々の硫化物単結晶を幾つかの方法により結晶育成を行った。その結果、主に以下の硫化物単結晶を得た。
今後、硫化物固有の優れた特性を活かした硫化物を探索し、その単結晶の育成方法を研究開発する。