電子顕微鏡解析ステーション ナノ構造解析グループ

施設・装置Facilities

FIB/SEM精密微細加工装置 (Helios 650)FIB/SEM microfabrication instrument

[設置部屋] 千現地区 精密計測実験棟129室/Location: Room129, Physical Analysis Laboratories Building
[メーカー] 日本エフイー・アイ株式会社/FEI Company Japan Ltd.

特徴
1. 集束イオンビーム(FIB)加工が可能
2. 走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能
3. カラム内で加工薄片をリフトアウト(マイクロサンプリング)可能

用途
1. 集束イオンビーム(FIB)加工
 Focused Ion Beam (FIB) fabrication
2. 走査型電子顕微鏡(SEM)観察
 Scanning Electron Microscopy (SEM) observation
3. TEM試料作製
 TEM sample preparation

Helios 650

Specifications
SIM SIM像分解能5nm(@30kV)、最大電流65nA
SEM SEM像分解能1.5nm(@1kV)、最大電流26nA
Beam E-beam: 350V~30 kV、I-Beam: : 500V~30 kV
試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°~+57°、R: 360°
Ptデポ
サンプルリフトアウトシステム

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