2020年11月18日
層状結晶の諸物性は層数に強く依存します。本研究では、二次元半導体であるMoS2を対象にAg光析出による光触媒活性の層数依存性の可視化を試みました。
層状結晶の諸物性は層数に強く依存します。本研究では、二次元半導体であるMoS2を対象にAg光析出による光触媒活性の層数依存性の可視化を試みました。その結果、光触媒活性は層数に対して連続的に変化するのではなく、単層のみが光触媒活性を示すことを見出しました。さらに、顕微分析により、単層における光触媒活性化は基板界面との相互作用による表面ポテンシャル変調によりもたらされていることが示されました。従来、結晶サイズ・形状、バンド構造、局所構造の制御により、光触媒活性の向上が図られてきましたが、極限薄さの二次元材料では界面構造が触媒活性に対する決定的要因となりうることが明らかにされました。
谷口 貴章 主任研究員 (機能性ナノマテリアルグループ）
2020年5月 「ACS Nano」誌
Reference
| Journal | ACS Nano 2020, 14, 6, 6663–6672 (May 12, 2020) |
|---|---|
| Title | On/Off Boundary of Photocatalytic Activity between Single- and Bilayer MoS2 |
| Authors |
Takaaki Taniguchi, Leanddas Nurdiwijayanto, Shisheng Li, Hong En Lim, Yasumitsu Miyata, Xueyi Lu, Renzhi Ma, Dang-Ming Tang, Shigenori Ueda, Kazuhito Tsukagoshi, Takayoshi Sasaki and Minoru Osada |
| Affiliations |
International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan |
| DOI |
10.1021/acsnano.9b09253 |