2026年07月13日
女屋 崇 研究員(超薄膜エレクトロニクスグループ) が ALD/ALE 2026にて、「ALD Young Investigator Award」を受賞しました。
薄膜の原子層堆積および原子層エッチングに関する科学・技術をテーマとする「The AVS 26th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2026) featuring the 13th International Atomic Layer Etching Workshop (ALE 2026)」（ALD/ALE 2026）が、2026年6月28日から7月1日までの4日間にわたり開催されました。
「ALD Young Investigator Award」は、カンファレンスで口頭発表を行った研究者のうち、博士号取得後10年以内の優れた若手研究者に贈られる賞です。
女屋 崇 研究員は、卓越した研究成果と優れた口頭発表が高く評価され、「ALD Young Investigator Award」を受賞しました。
また、本カンファレンスへの参加は、世界の第一線で活躍する研究者との活発な意見交換を通じて、原子層堆積および原子層エッチング技術の最新動向に関する知見を深めるとともに、共同研究の基盤を築く機会を得ました。
女屋 崇 研究員 (超薄膜エレクトロニクスグループ)
| 受賞分類 | ALD Young Investigator Award |
|---|---|
| タイトル |
Design of Interface Formation Process for Superior Ferroelectricity and Enhanced Fatigue Resistance in HfxZr1-xO2-Based Ferroelectric |
| 受賞日 | 2026年7月1日 |