溶解量はチタン換算で1.2kg。150kWと100kWを合わせた浮上力と加熱の役割を集中させた2重電源方式の高周波誘導溶解炉です。特徴は、1.急速溶解が可能。2.高純度・高融点金属の溶解が可能。3. 均一組成の合金溶製。4. 自由なフラックス選択が可能。5.電磁気力による溶湯の活発な撹拌で精錬反応の促進。
世界の明かりを変え、ノーベル賞に輝いた青色LED。本装置は青色LEDの研究成果を基に改良を重ねた汎用性の高い窒化物半導体結晶成長装置であり、光デバイス(UV-LED, UV-LD, PD)および電子デバイス(高移動度トランジスタ)の作製が可能です。
全自動コンピューター制御により複雑な薄膜構造を持つ試料を作製可能な装置です。スパッタ成膜、電子線蒸着、分子線エピタキシーを行うチャンバー間を自動搬送ロボットにより行き来することができ、幅広い基盤的な薄膜研究に活用できます。
熱プラズマを発生し、超高温における熱的・化学的反応領域を活用して、無機物質を真球に加工することができます。液滴の飛行距離を十分に確保することで、サブミリ粒子作製が可能です。汎用のアトマイズ装置では真球化が困難な、高融点で脆性の金属間化合物へも適用可能です。
超高圧下での物質合成研究では、単結晶などを長時間安定して育成できる大容量の高圧装置が必要です。このベルト型高圧装置は、2次元原子デバイスに不可欠な六方晶窒化ホウ素単結晶を量産し、世界35カ国、350以上の研究グループに提供しています。
飛翔体(30 mmφ×45 mmL)を速度約2km/sまで加速し衝突させて、50GPa程度までの衝撃圧力を約百万分の1秒発生させることができる装置です。高圧物質合成から地球惑星科学における隕石衝突実験まで、特徴ある高圧環境を実現できます。
次世代パワーデバイス応用が期待される超ワイドバンドギャップ半導体である酸化ガリウム用のHVPE (halide vapor epitaxy)成膜装置です。独自の反応炉構造と反応制御により、高品質膜の超高速製膜が可能です。
