3次元アトムプローブユニット | NIMS

装置リストEquipments

Invizo6000

深紫外レーザーアトムプローブ

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LEAP5000XS

局所電極型レーザーアトムプローブ

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HeliosG4UX

アトムプローブ・TEM試料作製装置

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アトムプローブ装置の特長比較表Specification Comparison of Atom Probe Tomograpyhy Equipments at NIMS, and the Others

Invizo6000
(AMETEK)
LEAP5000XS
(AMETEK)
NIMS独自開発レーザー補助3DAP LEAP6000XR
(AMETEK)
LEAP5000XR
(AMETEK)
外観 * Not at NIMS * Not at NIMS
イオン軌道 Straight Straight Straight Reflectron Reflectron
検出効率 ~ 62 % ~ 80 % 30 ~ 40 % ~ 50 % ~ 50 %
レーザー 257.5 nm 355 nm 1030, 515, 343, 257.5 nm 257.5 nm 355 nm
特長
  • 新設計のイオン軌道による従来比較で4倍以上の分析視野
  • DUVレーザーによるデータ品質向上
  • TEM/APT同一視野解析が可能
  • 試料の大気非暴露&低温維持搬送が可能
  • 検出効率 ~ 80%
  • レーザー波長可変式で、短波長化(UVレーザー採用)により世界で初めて絶縁体バルクのAPT解析に成功
  • DUVレーザー+電圧パルスの同期による質量分解能追及
  • 質量補正リフレクトロン採用による質量分解能重視型