3次元アトムプローブユニット | NIMS
概要
利用
装置
Invizo6000
LEAP5000XS
HeliosG4UX
活用例
データベース
English
装置リスト
Equipments
Invizo6000
深紫外レーザーアトムプローブ
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LEAP5000XS
局所電極型レーザーアトムプローブ
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HeliosG4UX
アトムプローブ・TEM試料作製装置
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アトムプローブ装置の特長比較表
Specification Comparison of Atom Probe Tomograpyhy Equipments at NIMS, and the Others
Invizo6000
(AMETEK)
LEAP5000XS
(AMETEK)
NIMS独自開発レーザー補助3DAP
LEAP6000XR
(AMETEK)
LEAP5000XR
(AMETEK)
外観
* Not at NIMS
* Not at NIMS
イオン軌道
Straight
Straight
Straight
Reflectron
Reflectron
検出効率
~ 62 %
~ 80 %
30 ~ 40 %
~ 50 %
~ 50 %
レーザー
257.5 nm
355 nm
1030, 515, 343, 257.5 nm
257.5 nm
355 nm
特長
新設計のイオン軌道による従来比較で
4倍以上の分析視野
DUVレーザーによる
データ品質向上
TEM/APT同一視野解析
が可能
試料の
大気非暴露&低温維持搬送
が可能
検出効率 ~ 80%
レーザー波長可変式で、短波長化(UVレーザー採用)により
世界で初めて絶縁体バルクのAPT解析に成功
DUVレーザー+電圧パルスの同期による質量分解能追及
質量補正リフレクトロン採用による質量分解能重視型
3次元アトムプローブユニット | NIMS
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Invizo6000
LEAP5000XS
HeliosG4UX
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