題目 : High-temperature and high-electron mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors based on n-type diamond
著者 :
Meiyong Liao, Huangying Sun,
Satoshi Koizumi
雑誌 : Advanced Science (Wiley; doi.org/10.1002/advs.202306013)
掲載日時 : 2024年1月20日 (オンライン掲載)
DOI :
10.1002/advs.202306013