News Topics
-
2025.09.09
papers
今井 基晴 / 電子セラミックスグループらが、計算による半導体3d遷移金属シリサイドの電子状態、化学結合評価に関する論文を発表しました
題名Electronic structure and chemical bonding in semiconducting 3d transition-metal silicides CrSi2, Mn4Si7, and β-FeSi2
著者名Imai, Motoharu; Arai, Masao
書誌情報Jpn. J. Appl. Phys., 64(6), 61003-1–61003-6, (2025)
URLhttps://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ade487
-
2025.09.09
papers
今井 基晴 / 電子セラミックスグループらが、実験、計算を使用した系統的なSrSi2の物性評価に関する論文を発表しました
題名Strontium disilicide SrSi2: Narrow band gap semiconductor or Weyl semimetal?
著者名Imai, Motoharu; Udono, Haruhiko; Alinejad, Babak; Nakane, Takayuki; Takahashi, Hiroki; Arai, Masao
書誌情報J. Alloy. Compd., 1032, 181074-1–181074-9, (2025)
URLhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838825026350?via%3Dihub
-
2025.09.08
event
Materials Research Society 主催 「MRS 2025 Fall Meeting」について
寺地 徳之 / 半導体欠陥制御グループが招待講演で登壇します
開催日2025.11.30 - 12.05
URLhttps://www.mrs.org/meetings-events/annual-meetings/2025-mrs-fall-meeting
-
2025.09.08
event
日本高圧力学会 主催 「29th International Conference on High Pressure Science and Technology」について
山根 崚 / 資源循環材料グループが招待講演で登壇します
開催日2025.09.28 - 10.03
-
2025.09.06
event
The Electrochemical Society 主催 「248th ECS Meeting」について
長田 貴弘 / ナノ電子デバイス材料グループが招待講演で登壇します
開催日2025.10.12 - 16
-
2025.09.06
event
日本セラミックス協会 主催 「 Chemothermal Pulverization Process -An attempt at recycling ceramics-」について
大橋 直樹 / 電子セラミックスグループが招待講演で登壇します
開催日2025.10.05 - 09
-
2025.09.05
papers
長田 貴弘 / ナノ電子デバイス材料グループ、知京 豊裕らが、半導体素子の省電力化を目指しn酸化物半導体/p型Siトンネル電界効果トランジスタの界面制御に関する論文を発表しました。
題名Effects of interface formation process on electronic properties of n-type Ti0.3Zn0.7O1.3/p-type Si stack structure
著者名Ogawa, Kenta; Chikyow, Toyohiro; Daimon, Yuki; Ogura, Atsushi; Nagata, Takahiro
書誌情報Jpn. J. Appl. Phys., 64(5), 05SP25-1–05SP25-7, (2025)
URLhttps://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/add0be
-
2025.09.05
papers
田村 堅志 / 資源循環材料グループらが、混合溶媒によりPA11を含む多様なナイロン樹脂を室温で効率的に溶解・再生し、充填材も回収可能としたことに関する論文を発表しました。
題名Room‐Temperature Material Recycling/Upcycling of Polyamide Waste Enabled by Cosolvent‐Tunable Dissolution Kinetics
著者名Tanks, Jonathon; Tamura, Kenji
書誌情報Angew. Chem.-Int. Edit., -1–-11, (2025)
URLhttps://mdr.nims.go.jp/datasets/910dc912-2433-4644-8521-017f93cc054a
-
2025.09.05
papers
吉武 道子 / ナノ電子デバイス材料グループが、界面反応含む金属ー酸化物界面の結合を予測する汎用的方法の開発、無償ソフトInterChemBondへの実装に関する論文を発表しました。
題名General Prediction of Interface Chemical Bonding at Metal–Oxide Interface with the Interface Reaction Considered
著者名Yoshitake, Michiko
書誌情報Materials, 18(13), 3096-1–3096-17, (2025)
-
2025.09.04
papers
大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、(001)面酸化ガリウム上に結晶異方性のあるHClガスエッチングを利用したエアギャップ構造の形成に関する論文を発表しました。
題名Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
著者名Oshima, Takayoshi; Oshima, Yuichi
書誌情報AIP Adv., 15(5), 55207-1–55207-7, (2025)
-
2025.09.04
papers
大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により(001)面β型酸化ガリウム表面にステップ＆テラス構造を形成したことに関する論文を発表しました。
題名Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer
著者名Oshima, Takayoshi
書誌情報Jpn. J. Appl. Phys., 64(8), 88001-1–88001-5, (2025)
URLhttps://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/adf380
-
2025.09.04
papers
劉 江偉 / 半導体欠陥制御グループらが、1.7 kVを超える耐圧を持つノーマリーオフ型ホウ素ドープダイヤモンドMOSFETが作製されたに関する論文を発表しました。
題名Normally-off boron-doped diamond MOSFETs with a breakdown voltage over 1.7 kV
著者名Liu, J.; Teraji, T.; Da, B.; Koide, Y.
書誌情報Appl. Phys. Lett., 127(4), 42601-1–42601-4, (2025)
-
2025.09.04
papers
大竹 晃浩 / 半導体エピタキシャル構造グループ、林 侑介 / 半導体エピタキシャル構造グループらが、極性制御したGaAs/Ge/GaAs{111}構造の作製に関する論文を発表しました。
題名Controlled polarity inversion in GaAs/Ge/GaAs{111} heterostructures
著者名Ohtake, Akihiro; Hayashi, Yusuke
書誌情報Appl. Phys. Lett., 126(20), 201601-1–201601-6, (2025)
-
2025.09.04
papers
山下 良之 / ナノ電子デバイス材料グループらが、バンドン工科大学との共同研究により、ペロブスカイト構造における配位子の効果に関する論文を発表しました。
題名The effect of surface ligands on the surface chemical states and photoluminescence characteristics in cesium lead bromide perovskite nanocrystals
著者名Asharuddin, Muhammad; Hidayat, Rahmat; Nurunnizar, Adhita Asma; Nursam, Natalita Maulani; Yandri, Valdi Rizki; Arsyad, Waode Sukmawati; Suwardy, Joko; Indari, Efi Dwi; Yamashita, Yoshiyuki
書誌情報RSC Adv., 15(37), 30727–30741, (2025)
URLhttps://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/ra/d5ra05099e
-
2025.09.04
papers
廖 梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、MEMS共振子を用いた水素終端ダイヤモンドの表面脱離特性の検出に関する論文を発表しました。
題名Surface desorption properties of hydrogen-terminated diamond detected by micromechanical resonator
著者名Gu, Keyun; Zhang, Zilong; Huang, Jian; Koide, Yasuo; Koizumi, Satoshi; Liao, Meiyong
書誌情報Appl. Phys. Lett., 126(22), 221901-1–221901-6, (2025)
URLhttps://pubs.aip.org/aip/apl/article/126/22/221901/3348240/Surface-desorption-properties-of-hydrogen
-
2025.09.04
papers
廖 梅勇 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、超高感度ダイヤモンドMEMS温度計測に関する論文を発表しました。
題名Ultra-High Sensitivity, Wide-Range Thermometry Based on High-Quality Microscale Diamond Resonators
著者名Zhao, Wen; Chen, Guo; Teraji, Tokuyuki; Koide, Yasuo; Toda, Masaya; Liao, Meiyong
書誌情報Adv. Mater., -1–-10, (2025)
URLhttps://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202502012
-
2025.09.04
papers
大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、極めて狭いストライプマスクを用いた選択成長によるα型酸化ガリウムの転位密度低減に関する論文を発表しました。
題名Epitaxial lateral overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
著者名Oshima, Yuichi; Shinohe, Takashi
書誌情報Appl. Phys. Lett., 126(20), 202104-1–202104-5, (2025)
-
2025.09.04
papers
間野 高明 / 半導体エピタキシャル構造グループ、大竹 晃浩 / 半導体エピタキシャル構造グループらが、表面砒素原子数を制御したGaAs基板を大気中で酸化させた際の埋め込まれたナノ構造の発光特性への影響に関する論文を発表しました。
題名Effects of arsenic oxides on GaAs surfaces on photoluminescence properties of buried InGaAs quantum wells: Dependence on initial surfaces before oxidation
著者名Ma, Zhao; Mano, Takaaki; Ohtake, Akihiro; Kuroda, Takashi
書誌情報J. Appl. Phys., 137(24), 243102-1–243102-7, (2025)