News Topics
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2026.03.24
papers
山根 崚 / 資源循環材料グループ、佐久間 博 / 資源循環材料グループ、田村 堅志 / 資源循環材料グループらが、炭酸マグネシウムを用いた二酸化炭素固定において重要な含水炭酸マグネシウム（MgCO3･3H2O）の脱水過程の構造研究に関する論文を発表しました。
題名Origin of the nano-cracking of dehydrated nesquehonite (MgCO3･3H2O)
著者名Yamane, Ryo; Sakuma, Hiroshi; Tamura, Kenji
書誌情報PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 28(2), 1939-1946, (2026)
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2026.03.19
recruit
オフィススタッフの公募
研究開発に関わる事務的支援全般に意欲的に取り組める方を募集しています -
2026.03.17
recruit
博士研究員の公募
セラミックス創製プロセスにおけるスラリー調製およびその評価、超高温セラミックスの開発に意欲的に取り組める方を募集しています -
2026.03.13
papers
何 亜倫 / ナノフォトニクスグループらが、BIC自立膜メタ表面を用いてWSe2の光応答を千倍級に強化し、広域かつ均一なデバイス基盤を確立した研究成果を論文として発表しました。
題名Large-Area Photonic Membranes Achieving Uniform and Strong Enhancement of Photoluminescence and Second-Harmonic Generation in Monolayer WSe2
著者名Hsieh, Fong-Liang; Deng, Chih-Zong; Huang, Shao-Ku; Liu, Tsung-Hsin; Chen, Mu-Hsin; Chiang, Chun-Hao; Lee, Che-Lun; Lai, Man-Hong; Fu, Jui-Han; Tung, Vincent; Chang, Yu-Ming; Chen, Chun-Wei; Ho, Ya-Lun
書誌情報SMALL METHODS, -1--11, (2026)
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2026.03.04
papers
佐久間 博 / 資源循環材料グループらが、土壌に含まれる粘土鉱物に吸着したセシウムイオンが時間とともに脱離しにくくなる”エージング効果”のメカニズムに関する論文を発表しました。
題名Adsorption of Cs Ions in Hydroxy-Al Interlayered Clay Minerals and the Aging Mechanism
著者名Hiroshi, Sakuma; Kenji, Tamura; Shigeru, Suehara; Kenjiro, Hashi
書誌情報Langmuir, 42, 6081-6090, (2026)
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2026.02.26
papers
佐久間 芳樹 / 半導体エピタキシャル構造グループ、大竹晃浩 / 半導体エピタキシャル構造グループらが、次世代半導体として期待されるMoS2原子層膜に関して、MOCVD法によるウエハースケールの革新的成膜法を開発したことに関する論文を発表しました。
題名Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics
著者名Sakuma, Yoshiki; Atsumi, Keisuke; Hiroto, Takanobu; Nara, Jun; Ohtake, Akihiro; Ono, Yuki; Matsumoto, Takashi; Muta, Yukihiro; Takeda, Kai; Kano, Emi; Yasuno, Toshiki; Yang, Xu; Ikarashi, Nobuyuki; Suzuki, Asato; Ikezawa, Michio; Li, Shuhong; Nishimura, Tomonori; Kanahashi, Kaito; Nagashio, Kosuke
書誌情報NATURE COMMUNICATIONS, 17(1), 602-1-602-10, (2026)
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2026.02.25
papers
寺地 徳之 / 半導体欠陥制御グループらが、NVセンタを用いた量子センシングによるCVDダイヤモンド膜の残留応力評価に関する論文を発表しました。
題名Measuring the stress tensor in nitrogen-doped CVD diamond using solid-state quantum sensor
著者名Tsuji, T.; Harada, S.; Teraji, T.
書誌情報SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS, 26(1), 2546779-1-2546779-9, (2025)
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2026.02.24
papers
李 継光 / 多結晶光学材料グループらが、Gd3Al5O12 の Gd および Al サイトの組成設計により、安定した広帯域 NIR 発光特性を有する一連の Cr3+賦活ガーネット蛍光体が開発されたことに関する論文を発表しました。
題名Multi-site regulation of Gd garnet for lattice stabilization and efficient/thermally stable broadband Cr3+luminescence
著者名Wang, Yun; Yang, Sihan; Wang, Xuejiao; Zhu, Qi; Li, Ji-guang
書誌情報JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, 109(1), e70441-1-e70441-11, (2025)
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2026.02.24
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李 継光 / 多結晶光学材料グループらが、Bi3+イオン賦活赤色/NIR蛍光体の発光メカニズム、材料設計、応用などについての最新の進歩に関する論文を発表しました。
題名Red/near-infrared emitting phosphors based on Bi3+ ions: recent advances, materials design, and applications
著者名Wang, Xuejiao; Yang, Sihan; Li, Ji-Guang
書誌情報DALTON TRANSACTIONS, 55(7), 2766-2787, (2026)
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2026.02.24
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大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループ、大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、β-Ga2O3の結晶構造を酸素最密充填を元にした疑似立方晶格子で表現することに関する論文を発表しました。
題名Mapping primary crystallographic planes in β-Ga2O3 based on a pseudo-cubic oxygen sublattice
著者名Oshima, Takayoshi
書誌情報JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 65(3), 38003-1-38003-3, (2026)
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2026.02.24
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大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループが、m面α-Ga2O3の面内成長速度が極めて大きい方位を見出し、それを用いた選択成長による高品質化を達成したことに関する論文を発表しました。
題名Epitaxial lateral overgrowth of m-plane α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
著者名Oshima, Yuichi; Shinohe, Takashi
書誌情報SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS, 26(1), 2485869-1-2485869-8, (2025)
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2026.02.24
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大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループ、大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、(001)面β-Ga2O3のHClガスエッチングにおいて、O2ガス添加により平坦性や制御性の向上に成功したことに関する論文を発表しました。
題名HCl-gas etching behavior of (001) β-Ga2O3 under oxygen supply
著者名Oshima, Yuichi; Oshima, Takayoshi
書誌情報SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS, 26(1), 2546285-1-2546285-10, (2025)
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2026.02.24
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大島 祐一 / 超ワイドギャップ半導体グループ、大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループらが、β-Ga2O3の(011)面上のハライド気相成長により、高速成長と低い残留塩素濃度の両立を実現することに関する論文を発表しました。
題名Rapid homoepitaxial growth of (011) β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy
著者名Oshima, Yuichi; Oshima, Takayoshi
書誌情報SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS, 26(1), 2585551-1-2585551-9, (2025)
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2026.02.24
papers
大竹 晃浩 / 半導体エピタキシャル構造グループらが、単層MoS2/sapphire(0001)のエピタキシャル方位関係に関する論文を発表しました。
題名Epitaxial configuration of unidirectionally aligned MoS2 monolayer on sapphire
著者名Ohtake, Akihiro; Nara, Jun; Sakuma, Yoshiki
書誌情報JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 139(2), 24303-1-24303-7, (2026)
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2026.01.26
recruit
テクニカルスタッフの公募
高性能ガラス材料の作製とその評価（粉末の秤量、混合、ガラスの作製 等）に意欲的に取り組める方を募集しています -
2026.01.08
event
The Japan Society of Applied Physics 主催 「ISPlasma 2026」について
大島 孝仁 / 超ワイドギャップ半導体グループが招待講演で登壇します
開催日2026.03.02 - 03.06
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2026.01.08
event
The American Ceramic Society ACerS Engineering Ceramics Division 主催 「ICACC 2026」について
森田 孝治 / 多結晶光学材料グループが招待講演で登壇します
開催日2026.01.25 - 01.30
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2025.12.19
recruit
ポスドクの公募
ダイヤモンド中に形成されたNVセンターなどを用いた量子センシング応用にかかる半導体材料の基礎物性研究に意欲的に取り組める方を募集しています - 2025.12.11 papers
