主要装置一覧

 高加速電圧(100 kV)により、最小線幅7 nmの描画が可能な電子線描画装置です。自動装置補正、自動マーク検出等の機能を備え、再現性の高いナノ構造パターニングができます。主にスピントロニク ス材料のデバイスレベルでの評価を行うためにの加工装置として用いています。

 走査型電子顕微鏡(SEM)と集束イオンビーム(FIB)の複合装置です。SEM観察、FIBによるミリング＆デポジション、マイクロマニピュレーターによるマイクロサンプリング法を用いた任意領域からのTEM試料作製やアトムプローブ試料作製ができます。また冷却システムにより装置内の試料ステージを低温（~100K程度）に保ったままのFIB加工や、VCTM(Vacuum and Cryo Transfer Module)を用いて大気非暴露及び低温保持のまま作製した３次元アトムプローブ測定試料をアトムプローブ本体へ搬送し測定することも可能となっています。さらにPythonベースのスクリプトによる装置自動制御にも対応しています。

 走査型電子顕微鏡(SEM)と集束イオンビーム(FIB)の複合装置です。SEM観察、EDSによる元素分析、FIBによるミリング＆デポジション、マイクロマニピュレーターによるマイクロサンプリング法を用いた任意領域からのTEM試料作製やアトムプローブ試料作製ができます。なかで特徴は、搭載されたフェムト秒レーザーによって大体積の加工が可能になっていることで、従来のFIB（Gaイオンビーム）加工では数十時間～数日を要する大体積を数分でレーザー加工（切削）することを実現しています。レーザー加工、FIB加工及びSEM-EDS観察を組み合わせることで、３次元SEM-EDSマップを得ることも可能です。

 走査型電子顕微鏡(SEM)と集束イオンビーム(FIB)の複合装置です。SEM観察、FIBによるミリング＆デポジション、マイクロマニピュレーターによるマイクロサンプリング法を用いた任意領域からのTEM試料作製やアトムプローブ試料作製ができます。またEDS(Energy Dispersive x-ray Spectroscopy)による元素分析、EBSD(Electron BackScatter Diffraction)による方位解析も可能です。

 フェムト秒レーザーにより電界蒸発をアシストするレーザー補助広角３次元アトムプローブです。金属材料のみならず、半導体デバイス・絶縁体材料のナノ領域の原子分布を可視化します。またFIB-SEM複合装置を用いたマイクロサンプリング法により、任意領域からの分析も可能になっています。