窒化ガリウム評価基盤領域 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
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プレスリリース

 
窒化ガリウム (GaN) に注入した微量元素の分布と電気的状態をナノスケールで可視化 2019.5.22
   ●【中核拠点、パワーデバイス・システム領域、高周波デバイス・システム領域】
   研究成果記者発表(2019年5月)での発表内容はこちら

   ●【レーザーデバイス・システム領域】研究成果記者発表(2019年5月)での
   発表内容はこちら
   
窒化ガリウム (GaN) ウエハ全面の「ゆがみ」をすばやく詳細に可視化する新手法を開発 2018.5.16
   
窒化ガリウムトランジスタに原子レベルで平坦な結晶を新発見 2017.10.23
 
 
 

ニュース

 
領域マネージャー/生田目俊秀氏が第12回(2018年度)公益社団法人応用物理学会においてフェローとして表彰されました。 2018.9.18
 
 
GaN論文(タイトル:Lattice-plane bending angle modulation of Mg-doped GaN homoepitaxial layer observed by X-ray diffraction topography)が CrystEngCommの表紙になりました。 2019.3.11
 
 
             
 
 
 
 
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