窒化ガリウム評価基盤領域 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
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研究成果

 

招待講演リスト

 
  【 国 際 会 議 】 
Study of ALD HfO2-based high-k for GaN power devices and Ferroelectric devices
生田目俊秀(NIMS), 女屋 崇(明治大学,NIMS), 前田 瑛里香(芝浦工大,NIMS), 廣瀨 雅史(芝浦工大,NIMS), 色川 芳宏(NIMS), 塩崎宏司(名古屋大), 小出康夫(NIMS)
ALD 2020(Virtual Meeting), Ghent(Belgium)、
2020/6/29
 
Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors
秩父重英, 嶋紘平,小島一信 (東北大), 石橋章司(産総研),上殿明良(筑波大)
The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020,
OPTO, San Francisco(USA)、
2020/2/4
 
Impact of Vacancy Complexes on the Nonradiative Recombination Processes in III-N Devices
秩父重英, 嶋紘平,小島一信 (東北大), 石橋章司(産総研),上殿明良(筑波大)
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13),
Washington(USA)、
2019/7/12
 
Mapping of local orientation of lattice planes of a GaN wafer
Osami Sakata, Jaemyung Kim, Okkyun Seo(NIMS)
The 11th International Conference on Advanced Materials and Devices(ICAMD2019)
Jeju (Korea)、
2019/12/12
 
Synchrotron X-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and homo-epitaxial thin film
 
坂田修身(NIMS)
2019 International Forum on Wide Bandgap Semiconductor(IFWS 2019)、Shenzhen conventional & exhibition Center(China)、2019/11/26
招待講演_坂田氏
 
Characteristics of Several High-k Gate Insulators for GaN Power Device
生田目俊秀(NIMS), 前田瑛里香(芝浦工大,NIMS), 井上万里(NIMS), 廣瀨 雅史(芝浦工大,NIMS)他
236th ECS Meeting、Atlanta (USA)、
2019/10/13
 
Lattice-plane orientation mapping of GaN using synchrotron x-ray diffraction topography
坂田修身(NIMS)
The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019)、Beijing(China)、
2019/7/19
 
Wide Bandgap III-Nitride and Diamond Devices and Characterization
小出康夫,生田目俊秀,色川芳宏,三石和貴,坂田修身(NIMS)
32nd IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)、
北九州国際会議場(北九州)、2019/3/19
 
Study of High-k gate insulator for GaN power device by atomic layer deposition
生田目俊秀, 色川芳宏(NIMS), 塩﨑 宏司(名古屋大学), 小出康夫(NIMS)
31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)、
Sapporo Park Hotel(北海道)、2018/11/16
 
Application and prospect of electron-beam-induced current technique: from defect characterization to device diagnosis
Jun Chen(NIMS)
19th International Microscopy Congress (IMC19)、Sydney(Australia)、2018/9/13
 
Evaluation of Structural Disorder and In-Gap States of III-V nitrides by Photothermal Deflection Spectroscopy
角谷正友, 福田清貴(NIMS)他
7th International Symposium of Nitride Semiconductors、Warsaw (Poland)、2018/8/9
 
Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere
小島一信, 秩父重英(東北大)他
The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018、
San Francisco (USA)、2018/1/30
 
Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO
秩父重英, 小島一信, 嶋紘平(東北大), 上殿明良(筑波大), 石橋章司(産総研)
Materials Research Society, 2017 Fall Meeting、Boston (USA)、2017/11/30
 
Origin and properties of intrinsic Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in GaN
秩父重英, 小島一信(東北大), 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典(富士電機), 石橋章司(産総研), 上殿明良(筑波大)他
29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)、
くにびきメッセ(松江)、2017/7/31
 
  【 国 内 会 議 】  
電子顕微鏡による電子材料評価技術の最近の発展
三石和貴、木本浩司、色川芳宏、生田目俊秀、小出康夫(NIMS)
第38回電子材料シンポジウム、
THE KASHIHARA(奈良県橿原市),2019/10/9
 
次世代パワー半導体デバイス開発における材料学的課題
小出康夫(NIMS)
2019年第80回応用物理学秋季学術講演会・薄膜・表面分科会企画シンポジウム,
パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術~省エネルギー社会に向けて~
北海道大学札幌キャンパス(札幌),2019/9/19
 
イオン注⼊を⽤いたGaN MOSFETの進展と⾼性能化への課題
⾼島信也,⽥中亮,上野勝典,江⼾雅晴(富士電機),三⽯和貴,埋橋淳,⼤久保忠勝,宝野和博,陳君(NIMS),関⼝隆史(NIMS,筑波大),⾊川芳宏,⽣⽥⽬俊秀,⼩出康夫(NIMS)
2019年第80回応用物理学秋季学術講演会 シンポジウム(15.結晶工学)
~新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開~
北海道大学札幌キャンパス(札幌),2019/9/18
 
次世代省エネルギー半導体デバイス開発における材料学的課題
小出康夫(NIMS)
ファインケミカルジャパン2019、東京ビッグサイト(東京)、2019/3/20
 
走査型プローブ顕微鏡による半導体点欠陥の観察
鷺坂恵介(NIMS)
応物学会結晶工学分科会 結晶工学セミナー、
産総研臨海副都心センター別館(東京)、2018/12/21
 
GaN系絶縁膜制御技術
小出康夫, 生田目俊秀, 色川芳宏, 三石和貴(NIMS)
第79回応用物理学会秋季学術講演会特別シンポジウム
名古屋国際会議場(名古屋)、2018/9/20
 
GaN 結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状
秩父重英(東北大), 上殿明良(筑波大)
日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会, プレIWN2018第10回窒化物半導体結晶成長講演会、名古屋大学(名古屋) 、2018/7/13
 
Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価
秩父重英, 嶋紘平, 小島一信(東北大), 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴(富士電機),
石橋章司(産総研), 上殿明良(筑波大)他
応用物理学会 第149回結晶工学分科会研究会、名古屋大学(名古屋) 、2018/6/15
 
p-GaN中の結晶欠陥の複合的な評価
小出康夫, 坂田修身, 渡邊賢司, 三石和貴, 生田目俊秀, 色川芳宏(NIMS)
応用物理学会 第149回結晶工学分科会研究会、名古屋大学(名古屋) 、2018/6/15
 
GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心
秩父重英(東北大), 上殿明良(筑波大), 嶋紘平, 小島一信(東北大), 石橋章司(産総研)
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会、名古屋大学(名古屋)、2017/12/12
 
窒化ガリウムトランジスタに原子レベルで平坦な結晶層を新発見
色川芳宏, 三石和貴(NIMS)
電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用(第2期)」調査専門委員会、
電気学会 第1・第2会議室(東京) 、2017/12/11
 
GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性
秩父重英, 小島一信(東北大), 上殿明良(筑波大)
応用物理学会 第147回結晶工学分科会研究会、大阪大学(大阪) 、2017/6/9
 
 
 
 
論文


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