窒化ガリウム評価基盤領域 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
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今後のイベント

GaN評価基盤領域 第九回領域運営会議を開催します。→終了しました。
 

イベント報告

 
GaN評価基盤領域 第九回領域運営会議 (2020.6.23)
  【開催場所】物質・材料研究機構 
オンライン開催(WebEx)/並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム

第九回領域運営会議では、2020.7.8-9 第9回ヒアリング(オンライン開催)に向け、各グループより進捗状況が報告されました。(オンライン出席者22名、会場出席者18名:合計40名)
       WebExにて開催
GaN評価基盤領域 第八回領域運営会議 (2019.12.18-19)
  【開催場所】物質・材料研究機構 千現地区本館第一会議室
                並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム

第八回領域運営会議では、2020.1.15-16 名古屋大学における第8回ヒアリングに向け、二日間にわたり各グループより進捗状況が報告されました。(出席者34名)

       GaNPJ第八回運営会議の様子
 
GaN評価基盤領域 第七回領域運営会議 (2019.5.23-24)
  【開催場所】物質・材料研究機構 千現地区本館第一会議室

第七回領域運営会議では、2019.6.5-6名古屋大学における第7回ヒアリングに向け、二日間にわたり各グループより進捗状況が報告されました。(出席者36名)

       第七回運営会議写真
 
Fine Chemical Japan2019 出展 (2019.3.18-20)
  【開催場所】東京ビッグサイト東6ホール

ファインケミカルジャパン2019では、小出領域長が招待講演を行う他、展示ブースでは研究成果及び当領域の事業紹介を行いました。

   
 
 第6回ヒアリング (2019.1.9-10)
  【開催場所】物質・材料研究機構 千現地区本館第一会議室

今回のヒアリングは物質・材料研究機構内にて、二日間にわたり開催されました。ヒアリング参加者のうち希望者を対象に評価基盤領域の最先端計測装置3台(レーザーアトムプローブ、単原子分解電子顕微鏡、低温走査型トンネル顕微鏡)の施設見学を実施しました。

       
 
GaN評価基盤領域 第六回領域運営会議 (2018.12.11-12)
  【開催場所】物質・材料研究機構 千現地区本館第一会議室
                並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム

第六回領域運営会議では、2019.1.9-10 NIMSにおける第6回ヒアリングに向け、二日間にわたり
各グループより進捗状況が報告されました。(出席者36名)

       第六回運営会議の様子
GaN評価基盤領域 第五回領域運営会議 (2018.6.12-13)
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム

第五回領域運営会議では、2018.7.4-5 名古屋大学における第五回ヒアリングに向け、二日間にわたり各グループより進捗状況が報告されました。(出席者27名)

       第五回運営会議の様子
 
プレスリリース・第2回公開シンポジウム (2018.5.16)
  【開催場所】学術総合センター 一橋講堂 (東京都千代田区一ツ橋)

文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業において、
プレスリリース及び第2回公開シンポジウムを開催致しました。 (2018.5.16)

プレスリリース・シンポジウムの様子はこちら
          シンポジウムポスター
nano tech 2018   (2018.2.14 -2.16) 
 

【開催場所】東京ビックサイト 東4・5・6ホール&会議棟 三日間にわたり開催されたnano tech2018(NIMSブース)にて、窒化ガリウム評価基盤領域からは、GaNトランジスタにGa2O3層を発見した成果や事業の紹介を行いました。
◆Ga2O3層を発見した成果のポスターはこちら(PDF)
◆事業の紹介ポスターはこちら(PDF)

       ナノテック2018展示風景
 
 
GaN評価基盤領域 第四回領域運営会議 (2017.12.7-8)
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム

第四回領域運営会議では、2017.12.14 名城大学における第四回ヒアリングに向け、二日間にわたり各グループより進捗状況が報告されました。(出席者31名)
       第四回領域運営会議の写真
GaN研究コンソーシアム 第1回シンポジウム
「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」
成果報告会の開催 (2017.10.18)
  【開催場所】名古屋大学 理学南館 坂田・平田ホール(名古屋市千種区不老町)

2017年10月18日(水)本プロジェクトの成果報告会が開催されました。
当領域からは小出領域長、他研究者2名が発表致しました。
講演プログラムはこちら
GaN評価基盤領域 第三回領域運営会議 (2017.5.17)
  【開催場所】物質・材料研究機構 千現地区本館第一会議室  

第三回領域運営会議では、領域マネージャーより平成29年度研究計画の説明がありました。 その後、2017.6.14 名古屋大学における第三回ヒアリングに向け、各グループより進捗状況が報告されました。(出席者23名)
 
「天野・小出共同研究ラボ開所記念式典」 (2017.3.6)
  天野・小出共同研究ラボ開所記念式典
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム
平成29年3月6日(月)NIMSにて開所式典及び天野浩教授(NIMS特別フェロー・2014年ノーベル物理学賞)による記念講講演会が開催されました。(出席者126名)
  詳しくはこちら
 
「天野・小出共同研究ラボ開所記念式典」 (2017.3.1)
  【開催場所】名古屋大学赤崎記念研究館
平成29年3月1日(水)NIMSと名古屋大学の両機関の連携により次世代半導体GaNの研究開発を加速するための「天野・小出共同研究ラボ」が両機関にそれぞれ設置されました。まず、名古屋大学赤崎記念研究館にて開所式(看板上揚・記念講演会)が開催されました。
  式典の様子はこちら
式典の様子はクリックしてください。
 
GaN評価基盤領域 第二回領域運営会議 (2016.12.12)
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区オーディトリアム
第二回領域運営会議では、2016.12.27名古屋大学におけるヒアリングに向け、各グループより進捗状況が報告されました。(出席者25名)
 
 
物質・材料研究機構と名古屋大学「天野・小出共同研究ラボ」の設置に基本合意,‐両機関の連携強化により次世代半導体GaN (窒化ガリウム) の研究開発を加速‐(2016.11.22)
  詳しくはこちら
 
 
GaN評価基盤領域 第一回領域運営会議 (2016.6.10)
  【開催場所】物質・材料研究機構千現地区第一会議室
評価基盤領域において、第一回領域運営会議を開催。キックオフシンポジウムとして、評価基盤領域グループの今後の研究および方針等が話し合われました。(出席者44名)
 
 
公開シンポジウム「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」が一橋講堂(東京都千代田区)にて開催されました。(2016.5.18)
 
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  プレスリリース・シンポジウムの様子(2018)
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