メンバー紹介 |
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NIMSメンバー |
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光電気計測Gr グループリーダー 生田目 俊秀 |
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生田目 俊秀
NABATAME Toshihide |
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・新評価方法開発としての共鳴ラマン、光偏向・計測
・SBD、MOSキャパシタ向けマッピング計測などの電気計測技術法の開発
・クラス1000のCRにおけるサンプル作製の技術開発 |
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CL/EBIC/アトムプローブGr グループリーダー 大久保 忠勝 |
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大久保 忠勝
OHKUBO Tadakatsu |
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・CL/PLマッピングによるGaNウエハ中の欠陥の分布評価
・CL/EBICによるGaNパワーデバイスのキラー欠陥評価
・アトムプローブによるMg偏析の解析 |
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表面プローブ計測Gr グループリーダー 鷺坂 恵介 |
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鷺坂 恵介
SAGISAKA Keisuke |
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・UHV-STM・AFMによる原子分解能断面観察評価法の確立
・これまで捉えられていない欠陥やドーパント原子の視覚化・構造決定・電子状態計測 |
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最先端電顕Gr グループリーダー 三石 和貴 |
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三石 和貴
MITSUISHI Kazutaka |
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・高分解能観察による欠陥の原子レベル構造解析
・ＥＤＳによる元素分布、ＥＥＬＳによる電子状態観察等、様々な電子顕微鏡手法による欠陥の解析とデバイス動作との関係解明 |
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放射光計測Gr グループリーダー 坂田 修身 |
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坂田 修身
SAKATA Osami |
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・Ｘ線回折、X線分光による結晶の評価、とくに放射光X線の活用
・結晶性の評価、たとえば欠陥、転位が生成する歪み場の直接観察
・動力学的X線回折効果（たとえばXSW）を用いドープ不純物元素の位置決定 |
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微量分析Gr グループリーダー 川田 哲 |
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川田 哲
KAWADA Satoshi |
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・高感度機器分析法と元素分離技術を併用した微量不純物成分の定量分析
・固体試料直接分析法による微量不純物成分の元素分析 |
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協力メンバー |
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光電気計測Gr グループリーダー 川原田 洋（早稲田大学） |
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川原田 洋
KAWARADA Takashi |
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・高電圧および高温加速試験によるデバイス劣化要因の解析
・III族窒化半導体のMOS構造形成方法の探索および信頼性評価 |
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PL計測Gr グループリーダー 秩父 重英（東北大学） |
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秩父 重英
CHICHIBU Shigefusa |
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・Ⅲ族窒化物半導体の時間分解分光評価による発光ダイナミクスの研究
・時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)による、GaNの発光寿命（少数キャリア寿命）の評価と非輻射再結合中心(NRC)濃度の定量 |
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陽電子計測Gr グループリーダー 上殿 明良（筑波大学） |
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上殿 明良
UEDONO Akira |
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・陽電子消滅法によるGaNデバイスを構成する材料及びその多層膜界面の空孔評価
・デバイス特性に影響する空孔型欠陥の絞り込みおよび最適プロセスの設定・最適化の探索 |
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陽電子計測Gr 石橋 章司（産業技術総合研究所） |
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石橋 章司
ISHIBASHI Shoji |
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・GaNデバイスを構成する材料中及びその多層膜界面に存在が予想される各種点欠陥における陽電子状態・消滅パラメータの理論計算 |
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評価用デバイス作製Gr グループリーダー 牛田 泰久（豊田合成（株）） |
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牛田 泰久
USHIDA Yasuhisa |
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・ショットキー接合、PN接合、MIS構造等の標準要素デバイスの作製 |
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評価用デバイス作製Gr グループリーダー 江戸 雅晴（富士電機（株）） |
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江戸 雅晴
EDO Masaharu |
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・電気特性と結晶欠陥との相関解析 、デバイス高度分析技術のＧａＮデバイス・プロセス研究への適用研究 |
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