電子顕微鏡ユニット
FIB/SEM精密微細加工装置
FIB/SEM microfabrication instrument
Helios650 (FEI)
千現地区 精密計測実験棟 129室 / Sengen-site, Physical Analysis Lab. #129
特徴
集束イオンビーム(FIB)加工が可能
走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能
カラム内で加工薄片をリフトアウト(マイクロサンプリング)可能
用途
集束イオンビーム(FIB)加工 Focused Ion Beam (FIB) fabrication
走査型電子顕微鏡(SEM)観察 Scanning Electron Microscopy (SEM) observation
TEM試料作製 TEM sample preparation
Specifications
SIM (FIB)
SIM像分解能5nm(@30kV)、最大電流65nA
SEM
SEM像分解能1.5nm(@1kV)、最大電流26nA
Beam
E-beam: 350V~30 kV、I-Beam: : 500V~30 kV
Stage
試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°~+57°, R: 360°
Depo. Material
Pt and C
Attached functions
サンプルリフトアウトシステム
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