電子顕微鏡ユニット

FIB/SEM精密微細加工装置
FIB/SEM microfabrication instrument

Helios650 (FEI)

千現地区 精密計測実験棟 129室 / Sengen-site, Physical Analysis Lab. #129


特徴
  1. 集束イオンビーム(FIB)加工が可能
  2. 走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能
  3. カラム内で加工薄片をリフトアウト（マイクロサンプリング)可能
用途
  1. 集束イオンビーム(FIB)加工 Focused Ion Beam (FIB) fabrication
  2. 走査型電子顕微鏡(SEM)観察 Scanning Electron Microscopy (SEM) observation
  3. TEM試料作製 TEM sample preparation


Specifications
SIM (FIB) SIM像分解能5nm（@30kV）、最大電流65nA
SEM SEM像分解能1.5nm（@1kV）、最大電流26nA
Beam E-beam: 350V～30 kV、I-Beam: : 500V～30 kV
Stage 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°～+57°, R: 360°
Depo. Material Pt and C
Attached functions サンプルリフトアウトシステム
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