ダイヤモンドといえば、高価な宝石を思い浮かべられる方が多いのではないかと思います。しかし近年では、人工的に合成されたダイヤモンドを、シリコンのように半導体電子材料として利用しようとする研究が進められています。ダイヤモンドは、低損失・高温・高電圧・高速で動作する半導体素子を作るのに理想的な特性を持ち、電力変換や情報通信分野、さらには過酷な環境下での利用が期待されています。表面伝導、負の電子親和力、窒素空孔中心スピン、超伝導などのユニークな特徴も注目されています。私たちは、このような電子材料としてのダイヤモンドの基礎特性の解明と、機能デバイスへの応用に取り組んでいます。
研究内容
新着情報
- 2026年8月 半導体素子作製のためのフッ素樹脂膜転写についての論文がACS Applied Materials & Interfaces誌に掲載されました。熊本高専の学生さんのインターンシップでの実験を発展させた成果です。(ACS Appl. Mater. Interfaces 18, 47786 (2026))
- 2026年5～7月 インド工科大学ハイデラバードのDwivediさんがインターンシップで滞在しました。
- 2026年5月 窒素イオン注入を使ったダイヤモンド電界効果トランジスタの新しい素子分離手法についての論文がApplied Physics Letters誌に掲載されました。(Applied Physics Letters 128, 213503 (2026))
- 2026年2～3月 京都大学の松下さんがインターンシップで滞在しました。
- 2025年10月 六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として使ったダイヤモンド電界効果トランジスタの移動度向上についての論文がApplied Physics Letters誌にFeatured Articleとして掲載されました。(Applied Physics Letters 127, 143502 (2025))
- 2025年3月 日野さん（筑波大学NIMS連携大学院M2）が国際会議Hasselt Diamond Workshop 2025 - SBDD XXIXにおいて、Brilliant Poster Awardを受賞しました!
- 2025年3月 「応用物理」誌にダイヤモンド電界効果トランジスタについての解説記事が掲載されました。
- 2025年2月 国立陽明交通大学の蕭さんと謝さんがインターンシップで滞在しました。
- 2024年9月 窒素・空孔(NV)センターを使って水素終端ダイヤモンドの表面トランスファードーピングについて調べた論文がCarbon誌の表紙に選ばれました。
- 2024年9月 熊本高専の岩根さん、下野さん、淵脇さんが連携拠点推進制度による協働研究で滞在しました。
- 2024年9月 宇部高専の田村さんがインターンシップ生として滞在しました。
- 2024年8月 六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として使ったダイヤモンド電界効果トランジスタの新しい作製手法についての論文がApplied Physics Letters誌に掲載されました。(Applied Physics Letters 125, 092103 (2024))
- 2024年7月 窒素・空孔(NV)センターを使って水素終端ダイヤモンドの表面トランスファードーピングについて調べた論文がCarbon誌に掲載されました。(Carbon 229, 119404 (2024))
- 2024年3月 水素終端ダイヤモンドの表面近くに形成された窒素・空孔(NV)センターのスピン状態制御についての論文がACS Applied Materials & Interfaces誌に掲載されました。(ACS Appl. Mater. Interfaces 16, 13212 (2024))
- 2023年9月 熊本高専の坂井さんと光永さんがインターンシップ生として滞在しました。
- 2023年4月 ポスドク研究員を募集しています。詳しくはこちら（NIMSの募集ページ）をご覧下さい。
- 2023年4月 生活費の支援を受けながら大学院生としてダイヤモンド半導体の研究を一緒にしませんか。NIMSジュニア研究員の募集が始まっています。
- 2022年9月 熊本高専の浦上さんと太田さんがインターンシップ生として1か月間滞在し、ダイヤモンド電界効果トランジスタを作製しました。
- 2021年12月 ダイヤモンドを使った高移動度pチャネルワイドバンドギャップ電界効果トランジスタについての論文がNature Electronics誌に掲載されました。(SharedIt 閲覧用PDF)
- 2021年11月 笹間さんが第51回（2021年秋季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました!