先端電子材料研究室 | 電子材料としてのダイヤモンドの基礎特性の解明とデバイスへの応用に取り組んでいます。

left: hydrogen plasma in which diamond is synthesized, center: hydrogen-terminated diamond surface, right: an atomic force microscopy image of atomically flat diamond surface

写真

2.5 mm角の単結晶ダイヤモンド基板上に作製したトランジスタ


どちらがダイヤモンド?


ダイヤモンド化学気相合成装置。ダイヤモンドの合成や表面の水素終端化ができます。


 

NIMSの微細加工施設のクリーンルームの中。ここでダイヤモンドの表面に微細な電極を取り付け、トランジスタなどの電子素子を作ります。リソグラフィーや成膜、エッチング用の装置がそろっています。スタッフの支援を受けながら、これらの装置を操作して素子の作製を行います。


ダイヤモンド素子の電気特性を調べます。超伝導マグネット付き冷凍機を使って、1.4 Kまでの低温、9 Tまでの磁場中で電気特性を測ることができます。より低温(20 mK)・強磁場(18 T)での測定は、桜地区にある希釈冷凍機を使って行います。


居室。




(上)居室と実験室のある建物。NIMS並木地区にあるMANA棟という建物です。(中)インターンシップ生と一緒に。(下)中山杯に参加しました。


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