Thomas Scheike氏らの執筆した巨大トンネル磁気抵抗効果に関する論文がApplied Physics Letter誌の注目論文Editor’s Pickに選ばれました
2022.01.24
Thomas Scheike（前スピントロニクスグループ博士研究員）、介川裕章主幹研究員らが執筆した論文「Enhanced tunnel magnetoresistance in Fe/Mg4Al-Ox/Fe(001) magnetic tunnel junctions（鉄/マグネシウム－アルミニウム酸化物/鉄(001)磁気トンネル接合における増大したトンネル磁気抵抗）」がApplied Physics Letter誌の注目論文Editor’s Pickに選ばれました。
"Enhanced tunnel magnetoresistance in Fe/Mg4Al-Ox/Fe(001) magnetic tunnel junctions" by Thomas Scheike, Zhenchao Wen, Hiroaki Sukegawa, and Seiji Mitani, Appl. Phys. Lett. 120, 032404 (2022). （オープンアクセス、無料でご覧になれます）
https://doi.org/10.1063/5.0082715
"Enhanced tunnel magnetoresistance in Fe/Mg4Al-Ox/Fe(001) magnetic tunnel junctions" by Thomas Scheike, Zhenchao Wen, Hiroaki Sukegawa, and Seiji Mitani, Appl. Phys. Lett. 120, 032404 (2022). （オープンアクセス、無料でご覧になれます）
https://doi.org/10.1063/5.0082715
（左）開発したトンネル磁気抵抗（TMR）素子構造、（右）室温及び低温におけるTMR比曲線
Thomas Scheike前博士研究員・介川裕章主幹研究員ら（スピントロニクスグループ）は、鉄（Fe）/マグネシウム－アルミニウム酸化物（Mg4Al-Ox）/Feの積層構造をもつトンネル磁気抵抗素子（TMR素子）において室温において429%、低温において1034%という巨大な磁気抵抗比（TMR比）を達成しました。これはバリア層として従来のMgOに代えてアルミニウムを含む酸化物である新スピネル系バリアMg4Al-Oxを開発したことで実現されたものです。大きなTMR比はスピントロニクス応用において重要であり、本研究の知見によって大容量不揮発磁気メモリ（MRAM）や高感度磁気センサーなど応用素子開発の加速が期待されます。（文責：介川裕章）