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  桜庭裕弥グループリーダーらは産総研と共同で、産業上実用性の高いシリコン基板上に、優れた磁気抵抗特性を示す単結晶ホイスラー合金巨大磁気抵抗素子を作製することに成功しました。さらにウエハー接合技術を用いることにより、多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子膜の接合が可能であることを世界で初めて示しました。

  本成果は、従来は非実用的であった高性能単結晶素子の実用展開への新たな道筋を示したものであり、ハードディスクドライブ(HDD)の大容量化などへ寄与することが期待されます。

  詳細は下記プレスリリースをご覧ください。

  本研究成果は、下記の通りActa Materialia誌にてオンライン掲載されています。

Fully epitaxial giant magnetoresistive devices with half-metallic Heusler alloy fabricated on poly-crystalline electrode using three-dimensional integration technology, J. Chen, Y. Sakuraba, K. Yakushiji, Y. Kurashima, N. Watanabe, J. Liu, S. Li, A. Fukushima, H. Takagi, K. Kikuchi, S. Yuasa, K. Hono, Acta Mater., Available online 28 May 2020.