極薄の強磁性金属層を非磁性金属層と酸化物層で挟んだ磁性ナノヘテロ接合において、非磁性金属層の膜厚をわずか数原子層程度変化させるだけで、強磁性金属層における磁化方向の電気的制御効率を大きく変えられることを見出しました
2012.12.25
当ユニット・林 将光 主任研究員らの研究グループは、極薄の強磁性金属層を非磁性金属層と酸化物層で挟んだ磁性ナノヘテロ接合において、非磁性金属層の膜厚をわずか数原子層程度変化させるだけで、強磁性金属層における磁化方向の電気的制御効率を大きく変えられることを見出しました。
(本研究成果は、日本時間平成24年12月24日3：00にイギリスの科学雑誌「Nature Materials」のオンライン速報版で公開。)
(本研究成果は、日本時間平成24年12月24日3：00にイギリスの科学雑誌「Nature Materials」のオンライン速報版で公開。)
- NIMSプレスリリース「わずか数原子層の金属膜で電気的磁化操作効率を制御」
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