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「天野・小出共同研究ラボ」の設置に基本合意

—両機関の連携強化により次世代半導体GaN (窒化ガリウム) の研究開発を加速—

国立研究開発法人物質・材料研究機構 (NIMS)
国立大学法人名古屋大学

NIMSと名古屋大学は、両機関の連携により次世代半導体GaNの研究開発を加速するため、両機関それぞれに「天野・小出共同研究ラボ」を設置することにつき基本合意に達しました。

概要

特定国立研究開発法人物質・材料研究機構 (橋本和仁理事長) と国立大学法人名古屋大学 (松尾清一総長) は、NIMS、名古屋大それぞれに「天野・小出共同研究ラボ」を設置します。これにより、両機関の連携を一層強化し次世代半導体GaNの研究開発、社会実装を加速する上で重要なGaN結晶及びGaNパワーデバイスの評価技術に係る研究開発を共同して進めて行くことに致しました。

「小出康夫理事 (NIMS、写真左) と天野浩教授 (名古屋大)」の画像

小出康夫理事 (NIMS、写真左) と天野浩教授 (名古屋大)




問い合わせ先

物質・材料研究機構 技術開発・共用部門窒化ガリウム評価基盤領域事務室 (担当 : 松波)
TEL: 029-859-2823
FAX: 029-859-2049 
E-Mail: MATSUNAMI.Shigeyuki=nims.go.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)
名古屋大学 学術研究・産学官連携推進本部 (担当 : 山口)
TEL: 052-789-4685
FAX: 052-747-6796
E-Mail: a.yamaguchi=aip.nagoya-u.ac.jp
([ = ] を [ @ ] にしてください)

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TEL.029-859-2000 (代表)
FAX.029-859-2029