次世代エッジAI半導体研究開発事業

外部プロジェクト

社会実装に向けた次世代エッジAI半導体の研究開発

  • LSTC：NEDOプロジェクト
  • プロジェクトリーダー：多田宗弘（慶応義塾大学教授）
  • 次世代エッジAI半導体研究開発事業

AIの高度化に伴い、端末側でリアルタイムに処理を行うエッジAIの需要が急速に高まっています。しかしその実現には、クラウドに依存しない超低消費電力の半導体が不可欠です。本事業は、そうした社会課題に応えるため、文部科学省・JSTが主導する国家プロジェクトとして発足しました。

NIMSは「テーマ③ 次世代トランジスタ技術」に参画し、二次元半導体・酸化物半導体を用いた次世代チャネル材料の開発、新配線材料の探索、そしてCFET（Complementary FET）製造基盤の確立に取り組んでいます。NIMSが強みとする材料科学の知見を活かし、2030年代の社会実装を見据えた要素技術の確立を目指します。

次世代トランジスタ技術

次世代チャネル材料：
二次元半導体、酸化物半導体

NIMS参画者
  • 宮田耕充（Co-PI）
  • 北浦良
  • 榊原涼太郎
  • 長田貴弘

新配線材料

NIMS参画者
  • 中谷友也（Co-PI）
  • 桜庭裕弥
  • 佐々木泰祐
  • 佐原亮二
  • 首藤浩文

CFET製造基盤

NIMS参画者

最先端半導体プロセス装置

  • 電子ビーム描画装置
  • 自動塗布現像装置
  • スピンエッチング装置
  • 超臨界洗浄・乾燥装置
  • シリコン堆積装置
  • シリコン窒化膜堆積装置
  • 原子層堆積装置（ALD）
  • 反応性イオンエッチング装置（RIE）
  • 原子層エッチング装置（ALE）
  • 等方ドライエッチング装置
  • 化学機械研磨装置（CMP）
  • ウェハ接合装置
  • レーザー剥離装置
  • 有機金属化学気相堆積装置（MOCVD）
  • 走査型電子顕微鏡（SEM）
  • 近赤外共焦点顕微鏡