NIMS内プロジェクト
ポストシリコンエレクトロニクスへ向けた
新材料・新構造・新原理半導体素子実現のブレイクスルー技術の探求
- 重点プロジェクト
- プロジェクトリーダー：深田直樹
- 半導体新材料素子技術
シリコン半導体の微細化が物理的限界に近づく中、次世代の演算素子には従来とは根本的に異なる材料・構造・動作原理が求められています。本プロジェクトは、ポストシリコンエレクトロニクスの実現を見据え、新材料の探索から新原理の提案まで一貫して取り組む、NIMSの中核的な研究開発プロジェクトです。
二次元材料・酸化物半導体・絶縁膜といった革新的な材料群を基盤に、3次元構造やヘテロ接合による新構造の創製、脳型演算・多値演算を可能にする新原理素子の実現を目指しています。さらに、新材料の接合による配線・伝送技術の革新も並行して推進しており、次世代半導体素子の実現に向けたブレイクスルー技術の確立に取り組んでいます。
| 研究課題名 | 課題代表者 |
|---|---|
| 3D世代構造のための原子膜積層半導体の基盤技術 | |
| 二次元系次世代半導体の基盤構築 | |
| FETの界面、欠陥制御に対する理論研究と実験による検証、開発 | |
| ニューロモルフィック演算素子 | |
| 次世代コンピューティング技術に貢献する再構成可能論理回路の開発 | |
| 新材料の接合による配線・伝送技術の革新 |
新材料探索・新構造創製・新プロセス開拓・新原理提案の4つの取り組みが循環的に連携することを示す図。次世代半導体素子、新原理演算素子、革新的配線・接合技術の実現を目指し、2次元材料・酸化物半導体・絶縁膜（新材料）、3次元構造・ヘテロ接合（新構造）、3次元積層・表面／界面設計（新プロセス）、脳型演算・再構成可能論理回路（新原理）の各要素が有機的に結びついている。
NIMS内プロジェクト
運営費交付金センター内のプロジェクト
次世代半導体素子実現のブレイクスルー技術のための基礎・基盤技術
- NIMS中長期基盤プロジェクト
- 分野長：深田直樹
- 量子ナノアーキテクトニクス（半導体）プロジェクト
次世代半導体素子の実現には、個々の研究課題を支える基礎・基盤技術の蓄積が不可欠です。本プロジェクトは、NIMSの運営費交付金によるセンター内プロジェクトとして、重点PJと連携しながら、より長期的な視野に立った基礎研究を推進しています。
量子効果や新規ナノ構造の探索を通じて、次世代半導体デバイスに必要な材料物性の解明と制御技術の確立を目指しており、重点PJへの技術的な土台を提供する役割を担っています。