現代の情報化社会では情報を記録するメモリ素子が重要な役割を担っています。過去20年間、記録密度は大幅に増加しましたが、今後も従来の開発スピードを上回る勢いで記録容量の大容量化が求められます。しかし従来技術だけでは大容量化や省電力化に限界が見えてきた今、全く新しい動作原理のメモリ素子が求められています。これに対し私たちは、光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリ素子を開発しました。半導体の二硫化レニウム(ReS₂)、絶縁体の六方晶窒化ホウ素(h-BN)、金属性のグラフェンなど異なる二次元層状物質を精密に積層した素子構造を特長としています。これにより、蓄積する電荷量を光と電圧で調整することにより記録の多値化に成功しました。本成果は、記録容量の大幅な向上はもちろん、光と電子を繋いだ光ロジック回路や超高感度光センサーなどに発展することも期待されます。

若山 裕 グループリーダー　（量子デバイス工学グループ）
（2020年8月25日 「Advanced Functional Materials」誌）

“Laser-Assisted Multilevel Non-Volatile Memory Device Based on 2D van-der-Waals Few-Layer-ReS2/h-BN/Graphene Heterostructures”
Author: Bablu Mukherjee, Amir Zulkefli, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama and Shu Nakaharai
Journal: Advanced Functional Materials 30 [42] 2001688 [25 August 2020]
DOI: 10.1002/adfm.202001688

■ NIMSプレスリリース
"二次元層状物質を使った光多値メモリの開発に成功” (25 August 2020)
https://www.nims.go.jp/eng/news/press/2020/08/202008250.html

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