自己組織化InAs/InGaAlAs量子ドット
Self-Assembled InAs/InGaAlAs Quantum Dots
自己組織化量子ドットは、光電・光起電デバイスの有力な候補とされている。量子ドットは構造パラメータが強く相関するナノ構造体であるため、原子レベルでの多角的な評価がデバイス性能の向上に不可欠となる。本研究では、走査透過型電子顕微鏡（STEM）と3次元アトムプローブ（3DAP）を相補的に用い、自己組織化InAs量子ドットおよびInGaAlAsスペーサ層の形状、歪み、組成などの構造パラメータを評価した。STEMと3DAPの相補的解析により、原子レベルの自己組織化現象のメカニズムを明らかにすることで、量子ドットの開発を加速できることを示した。
- Y. Yamaguchi, Y. Inaba, R. Arai, Y. Kanitani, Y. Kudo, M. Shiomi, D. Kasahara, M. Yokozeki, N. Fuutagawa, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, K. Hono, K. Akahane, N. Yamamoto, and S. Tomiya, "Atomic-Scale Multimodal Characterization of Self-Assembled InAs/InGaAlAs Quantum Dots", J. Phys. Chem. Lett. 15, 3772-3778 (2024)