多目的高真空蒸着装置

 四元電子銃と二基のKセルを備えた多目的蒸着装置です。 RHEEDを有しているため、膜成長の様子をその場観察することができます。 また、マスク交換機構を組み込んでおり、in-situでのデバイス作製が可能です。 その他、ロードロック室にスパッタカソードを一基組み込んでいます。

主な仕様

到達真空度　<1×10-7 Pa

四元ピアス式電子銃一基

Kセル蒸着源二基(三基へ拡張可能)

RHEED

Q-mass

in-sitsuマスク交換機能

3inchスパッタカソード(ロードロック室)

主な研究

強磁性二重トンネル接合の創製