超高真空成膜用クラスター
超高真空10元スパッタ装置と超高真空電子線蒸着装置および熱処理用チャンバーを組み合わせたクラスターユニットです。各々の装置間は真空搬送路でつながっており、大気暴露なして試料の行き来が可能です。
主な仕様
- スパッタ装置
- 到達真空度 <1×10-7 Pa
- メイン排気ポンプ TMP(2400L/min)
- ターゲット交換型RF/DCスパッタ源(3inchターゲットを10個搭載可能)
- ウェッジ用リニアシャッター
- ランプヒーター(基板加熱800℃まで)
- 蒸着装置
- 到達真空度 <2×10-8 Pa
- メイン排気ポンプ TMP(1200L/min)
- 5元直線導入電子線蒸着源
- 3元直線導入電子線蒸着源
- RHEED
- カーボンヒーター(基板加熱1200℃まで)
- 熱処理チャンバー
- 到達真空度 <2×10-8 Pa
- メイン排気ポンプ TMP(360L/min)
- 補助排気ポンプ チタンサブリメーションポンプ
- 直線導入型三元電子線蒸着装源
- ランプヒーター(基板加熱800℃まで)
- 基板冷却機構
