Society5.0に資する次世代の磁気ストレージ技術や磁気センサ、熱流センサ等の実現に資する材料開拓及びデバイス開発

磁性体が示す磁気・スピン - 電気 - 熱 - 機械的な諸特性やそれらの相関現象を利用し、Society5.0に資する次世代の磁気ストレージ技術や磁気センサ、熱流センサ等の実現に資する材料開拓及びデバイス開発を進めていきます。データ駆動型アプローチによる新規材料創成やデバイス高性能化を積極的に推進します。

By utilizing the magnetic, spin, electrical, thermal, and mechanical properties of magnetic materials and their correlated phenomena, we will promote the development of materials and devices that contribute to the realization of next-generation magnetic storage technology, magnetic sensors, and heat flow sensors, which will contribute to Society 5.0. Actively promote the creation of new materials and device performance through data-driven approaches.

What's New!!

  2023.09.04
8月8日に開催されたNIMS公開にて発表したグループ概要ポスターを閲覧できるようにしました。ご興味のある方は下記のリンク先からPDF版をご覧ください。

(PDF:7.6MB)
  2023.04.01
第5期中期計画開始に伴うNIMS内組織の改編に伴い、グループ名が「磁性材料グループ」から「磁気機能デバイスグループ」と変更になりました。
The group name has been changed to "Magnetic Functional Device Group" due to the reorganization at NIMS.
  2021.09.01
首藤浩文主任研究員が日本磁気学会「学会活動貢献賞」を受賞しました。受賞対象は「企画委員会活動を通した学会活動の活性化への貢献」です。
Dr. Hirofumi Suto, a senior researcher of Magnetic Materials Group, won the "MSJ (The Magnetics Society of Japan) Significant Contribution Award".
  2021.01.19
桜庭裕弥グループリーダー、スピンエネルギーグループの内田健一グループリーダーらは、熱電材料と磁性材料を組み合わせた複合構造において生じる新原理の熱電効果を発案し、与えた温度勾配と直交する方向に起電力を生む「横型」熱電効果として世界最高値となる熱電能を観測することに成功しました。本成果は、汎用性の高い環境発電技術や高感度な熱流センサーの実現に資する新たな原理・設計指針を提供するものです。
A NIMS research team devised a new thermoelectric generation mechanism with a hybrid structure composed of thermoelectric and magnetic materials. The team then actually fabricated this structure and observed the record-high thermopower appearing in the direction perpendicular to a temperature gradient.
  • Demonstration of Unconventional Transverse Thermoelectric Generation - Composite of Thermoelectric and Magnetic Materials with High Thermopower May Open up a New Way to Wide-Ranging Energy Applications -
  •   2020.05.29
    桜庭裕弥グループリーダーらは産総研と共同で、産業上実用性の高いシリコン基板上に、優れた磁気抵抗特性を示す単結晶ホイスラー合金巨大磁気抵抗素子を作製することに成功しました。さらにウエハー接合技術を用いることにより、多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子膜の接合が可能であることを世界で初めて示しました。
    NIMS and AIST have jointly succeeded in fabricating a giant magnetoresistive (GMR) device comprising single-crystal Heusler alloys on an practical silicon substrate. The team demonstrated for the first time that a single-crystal magnetoresistive device can be bonded onto the surface of a polycrystalline electrode using a wafer bonding technique.
  • Fabrication of a Single-Crystal Giant Magnetoresistive Device on a Polycrystalline Film - Technique May Promote Practical Use of High-Performance Magnetoresistive Devices Comprising Half-Metallic Heusler Alloys-
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