アンチ・アンバイポーラトランジスタ（AAT）は、p型半導体とn型半導体を組み合わせたトランジスタで、ある一定以上のゲート電圧を印加するとドレイン電流が増加から減少に転じる特異な伝導特性を示します。本研究グループは、この伝導特性の起源について、光電子顕微鏡と呼ばれる特殊な顕微鏡を用いて、トランジスタ内を流れる電子を可視化することにより明らかにしました。

さらに、AATの特異な伝導特性を活かした新規論理回路を実現するために、デュアルゲート型トランジスタへ拡張し、2入力論理回路へ応用しました。5つの異なる論理回路動作を“たった一つのトランジスタ”で実現できるため、現在の有機集積回路の性能を飛躍的に向上させることができます。また、入力電圧を調整するだけで様々な論理回路へ再構成できる利点を活かし、今後、人工知能の基幹技術である再構成可能コンピューティング技術への応用が期待されます。

早川 竜馬 主幹研究員
（2022年「ADVANCED MATERIALS」誌）

“Carrier-Transport Mechanism in Organic Antiambipolar Transistors Unveiled by Operando Photoemission Electron Microscopy”
Ryoma Hayakawa, Soichiro Takeiri, Yoichi Yamada, Yutaka Wakayama, and Keiki Fukumoto.
Journal: Advanced Materials, 2022, 34, 2201277 (June 19 2022)
DOI : 10.1002/adma.202201277

“Electrically Reconfigurable Organic Logic Gates: A Promising Perspective on a Dual-Gate Antiambipolar Transistor”
Ryoma Hayakawa, Kosuke Honma, Shu Nakaharai, Kaname Kanai, and Yutaka Wakayama.
Journal: Advanced Materials, 2022, 34, 2109491 (February 27 2022)
DOI : 10.1002/adma.202109491

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