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Conduction band caused by oxygen vacancies in aluminum oxide for resistance random access memory |
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Effect of vacancy-type oxygen deficiency on electronic structure in amorphous alumina |
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Formation and disruption of current paths of anodic porous alumina films by conducting atomic force microscopy |
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Structural analysis of anodic porous alumina used for resistive random access memory |
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Voltage-induced insulator-metal transition at room temperature in an anodic porous alumina thin film |
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酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製２
（2011年秋季応用物理学会学術講演会にて発表） |
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陽極酸化アルミナの電子構造
（2010年春季応用物理学会学術講演会にて発表） |
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同時スパッタ法を用いて作製したAl2O3薄膜のスイッチング特性
（2010年春季応用物理学会学術講演会にて発表） |
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| ・ |
AFM電流同時測定(Conducting AFM)によるReRAM用アルミ陽極酸化膜の電流経路の観察
（2010年春季応用物理学会学術講演会にて発表） |
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Study of the memory mechanism of AlOx-ReRAM
（ISANN 2009にて発表） |
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The energy band structure of anodic porous alumina
（ISANN 2009にて発表） |
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Observation of Current Paths of Anodic Porous Alumina for Resistive RandomAccess Memory by Conducting AFM
（ISANN 2009にて発表） |
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FIBを用いた陽極酸化アルミナReRAMデバイスの作製
（2009年秋季応用物理学会学術講演会にて発表） |
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2008年以前の発表はこちら |
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2012年3月13日の化学工業日報にて当プロジェクトの記事が掲載されました |
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プレスリリース “レアメタルを用いない酸化アルミニウム系メモリの集積化プロセスの開発に成功”
（日刊工業新聞2011年1月28日（金） 30面「抵抗記憶素子 集積化のプロセス レアメタル使わず開発」、 化学工業日報2011年1月28日（金） 1面「次世代メモリーReRAM
レアメタル不要 アルミ系で構成」、 鉄鋼新聞2011年2月2日（水） 7面「稀少金属不要のメモリー素子」、科学新聞2011年2月4日（金）
4面「レアメタル不使用の集積メモリ オールアルミ系抵抗変化型 集積化プロセス開発」) |
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2007年11月19日の化学工業日報にて当プロジェクトの記事が掲載されました |
