研究目的・計画

研究開発の目的
元素戦略に対応した革新的な抵抗変化型メモリAAA-ReRAM（Anodic Aluminum Amorphous oxide Resistive Random Access Memory）を開発し、我国のナノテクノロジー発展に寄与する。

開発目標
① 希少元素や有害元素を一切使用しない。
② 他のReRAMに比べて数桁大きい抵抗変化率のReRAMを開発
③ セルサイズ：0.3μｍ２以下、書込・読出速度：50ｎｓ以下
④ 従来の不揮発性メモリに比べて１/４以下の製造コストになることの検証

波及効果
１）電界誘起抵抗変化の現象は、我国の研究者（東大・十倉教授）によって発見された。しかし、その現象を利用した抵抗変化型メモリの実用化は、外国に先を越される可能性が高い。電気化学的ナノテクノロジーを用いて、先行技術に勝るコスト競争力の抵抗変化型メモリを実用化できれば、理論と実用の両面の技術発展に寄与する。
２）ナノテク先進国を目指す我国として、エピタキシャル等の高度であるが生産性に劣るナノテクノロジーを補完する技術として、陽極酸化という生産性の高い微細加工技術が実用化できれば、産業的波及効果が大きい。
３）ありふれた材料をナノ構造に立ち返って利用する環境にやさしい技術は、環境への負担の少ない製品を優先して調達する（グリーン調達）やEUのRoHS指令、更に、今後のREACH指令では特に重視されるようになる。
４）我国半導体メモリ業界の復権の必要性が認識されているが、その困難さは増している。物質・材料研究機関が、国の元素戦略に対応した安価な次世代メモリ素子を開発し、メモリ業界に技術供与することができれば、物質・材料開発を担う研究機関が具体的な実用化に大きく踏み込んだ成果として、社会的インパクトがある。

研究計画（タイムスケジュール）