装置紹介
複合型表面分析装置
本装置は、ロッキングカーブ測定用反射高速電子回折、反射率差分光、全反射角X線分光などのリアルタイム分析装置を備えた分子線エピタキシー装置と電子ビーム蒸着装置の二つの薄膜成長装置と、走査トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、X線光電子分光の各分析装置を組み合わせたものです。薄膜成長装置で作製した試料を超高真空搬送試料搬送システムを介して各分析装置へ搬送できるため、試料を汚染することなく分析することができます。
As、P系MOCVD装置
GaAsやInPなどのAs,P系化合物半導体用のMOCVD装置です。サセプタは2インチ1枚の自転式です。
窒化物系MOCVD装置
独自に開発したGaN, InGaN, AlGaNなど窒化物系半導体用のMOCVD装置です。2インチ3枚処理用の自公転式サセプタを備えています。1200℃までの基板加熱が可能です。