Title: "Direct Visualization of the N Impurity State in Dilute GaNAs using Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy"
Authors: Nobuyuki Ishida, Masafumi Jo, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma and Daisuke Fujita
この成果は、理化学研究所の定昌史研究員、NIMS機能性材料研究拠点の間野高明主幹研究員、佐久間芳樹グループリーダー、NIMSエネルギー・環境材料研究拠点の野田武司グループリーダー、NIMS先端材料解析研究拠点の藤田大介拠点長らと共同研究によるもので、これまで観察が難しかったIII-V族化合物半導体中の窒素不純物の電子状態の広がりを走査型トンネル顕微鏡（STM）で可視化することに世界で初めて成功しました。