■2014.11.28-11.30 発表題目 DEVELOPMENT OF REMOTE-TYPE HYDROGEN RADICAL GENERATOR TO DECOMPOSE SiCl4 SOURCE IN ATMOSPHERIC PRESSURE 著者 角谷正友，Z.Fatima，岡本裕二，堤大耀，鈴木義和，鯉沼秀臣 学会名 Tunisia-Japan Symposium  開催場所・日時 Hotel El-Mouradi Gammarth（ガマース，チュニジア/2014.11.28-11.30） ■2014.11.13 発表題目 下地GaN層の異なるGaInN薄膜表面ピット形成と蛍光特性 著者 豊満直樹，SANG Liwen，山口智広，本田徹，角谷正友 学会名 第3回結晶工学未来塾 開催場所・日時 学習院創立百周年記念会館（東京都/2014.11.13） ■2014.9.17-9.20 発表題目 III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性 Dependence of III-V nitride solar cell properties on Mg-doping and carrier density in InGaN 著者 角谷正友，SANG Liwen，長谷川文夫，中野由崇 学会名 第75回応用物理学会秋季学術講演会 開催場所・日時 北海道大学札幌キャンパス（札幌市/2014.9.17-9.20）) ■2014.9.17-9.20 発表題目 歪みInGaN活性層を用いた太陽電池特性のn層ドーピング密度依存性 Dependence of doping layers on photovoltaic property from strained p-i-n InGaN structure 著者 角谷正友，SANG Liwen，長谷川文夫，中野由崇 学会名 第75回応用物理学会秋季学術講演会 開催場所・日時 北海道大学札幌キャンパス（札幌市/2014.9.17-9.20） ■2014.9.5 発表題目 III-V族窒化物太陽電池の開発動向★徹底解説～次世代の高効率太陽電池の実現を目指す～ 著者 角谷正友 学会名 Electronic Journal　第2211回　Technical Semina 開催場所・日時 連合会館(御茶ノ水/ 2014.9.5) ■2014.8.24-8.29 発表題目 Improvement of Strained InGaN Solar Cell Performance with a Heavily Doped n+-GaN Substrate 著者 角谷正友，本田徹，SANG Liwen，中野由崇，長谷川文夫 学会名 International workshop on nitride semiconductors 開催場所・日時 Wrocław Congress Center（ヴロツワフ，ポーランド/2014.8.24-8.29） ■2014.7.28-7.30 発表題目 Sahara Solar Breeder Initiative for sustainable development of global energy future, Part-3,More than Siemens process for energy saving red 著者 角谷正友，鈴木義和，岡本裕二，Z.Fatima，伊高健治，鯉沼秀臣 学会名 再生可能エネルギー2014国際会議 開催場所・日時 東京ビッグサイト（江東区/2014.7.28-7.30） ■2014.3.17-3.20 発表題目 熱プラズマから発生した水素ラジカルによるグラニュー糖と混合したSiO2の還元 Reduction of SiO2 mixed with sugar by H-radical generated from thermal plasma 著者 岡本裕二，鈴木義和，鯉沼秀臣，角谷正友 学会名 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会 開催場所・日時 青山学院大学相模原キャンパス（相模原市/2014.3.17-3.20） ■2014.3.17-3.20 発表題目 蛍光顕微鏡と2次イオン質量分析を用いたGaInN薄膜の不均一評価 Characterization of heterogeneity on GaInN films by fluorescence microscope and secondary ion mass spectrometry 著者 豊満直樹，SANG Liwen，本田徹，角谷正友 学会名 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会 開催場所・日時 青山学院大学相模原キャンパス（相模原市/2014.3.17-3.20） ■2014.3.17-3.20 発表題目 Ⅲ-V族窒化物薄膜太陽電池の歪を考慮した計算解析 Simulation of Ⅲ-Ⅴ nitride solar cell with respect to strain effect 著者 角谷正友，SANG Liwen ，長谷川文夫，中野由崇 学会名 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会 開催場所・日時 青山学院大学相模原キャンパス（相模原市/2014.3.17-3.20） ■2013.12.01-12.06 発表題目 Deep-Level Characterization of Thick InGaN Films with Various In Contents for Photovoltaic Applications 著者 中野由崇,Liwen Sang,角谷正友 学会名 2013 MRS Fall meeting 開催場所・日時 Hynes Convention center(Boston/USA2013.12.01-12.06) ■2013.12.01-12.06 発表題目 Deep-level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AIGaN/GaN Hetero-Structures Containing Various Carbon Concentrations 著者 中野由崇,色川芳宏,角谷正友,Y.Sumida,S.Yagi,H.Kawai 学会名 2013 MRS Fall meeting 開催場所・日時 Hynes Convention center(Boston/USA2013.12.01-12.06) ■2013.12.01-12.06 発表題目 Electrical Characterization of p-i-n Junction Based on Thick i-InGaN Film for Photovoltaic Applications 著者 中野由崇,Liwen Sang,角谷正友,F.Hasegawa 学会名 2013 MRS Fall meeting 開催場所・日時 Hynes Convention center(Boston/USA2013.12.01-12.06) ■2013.11.22-11.23 発表題目 III-V族窒化物の光電変換デバイスへの応用 著者 角谷正友,Liwen Sang 学会名 平成25年度　多元系化合物・太陽電池研究会　年末講演会 開催場所・日時 JAXA（つくば市/2013.11.22-11.23） ■2013.11.11-11.15 発表題目 Growth of Wurtzite Nitride and Oxide Films by metalorganic Chemical Vapor Deposition for the Device Application 著者 角谷正友,Liwen Sang 学会名 2nd International conference on advanced electronics 開催場所・日時 International Convention center(Jeju,korea/2013.11.11-11.15) ■2013.11.4-11.08 発表題目 Point Defect Characterization in InGaN by Using Monoenergetic Positron Beams 著者 上殿明良,T.Watanabe,S.Kimura,Y.Zhang,Lozach.Mickael,Sang.Liewn, S.Ishibashi,N.Oshima,R.Suzuki,角谷正友 学会名 12th Inter Conf on Atomically Controlled Surface,Interface 開催場所・日時 つくば国際会議場（つくば市/2013.11.4-11.08） ■2013.10.3-10.6 発表題目 Development of new process to produce solar grade Si towards photovoltaic application 著者 角谷正友 学会名 2013 International Conference on Emerging Information, Technolog 開催場所・日時 Shanghai Jiao Tong University （上海,中国 /2013.10.3-10.6） ■2013.9.15-9.19 発表題目 Growth of non-polar ZnO films with smooth surface by laser heating MOCVD in a hydrogen ambient 著者 角谷正友,原田善之 学会名 第74回秋季応用物理学会学術講演会　MRSジョイントセッション 開催場所・日時 同志社大学（京都市/2013.9.15-9.19） ■2013.8.25-8.29 発表題目 Multilevel Intermediate-band Solar cell based on III-Nitrides 著者 Liwen Sang,Meiyong Liao,角谷正友 学会名 ICNS-10 commitee and MRS 開催場所・日時 Gaylord National Hotel and Convention Center（Washington DC,USA /2013.8.25-8.29） ■2013.7.1-7.3 発表題目 Development of non-polar light emitting devices from wruztite oxide and nitride hetero junction system 著者 角谷正友,原田善之 学会名 NIMS conference 開催場所・日時 つくば国際会議場(つくば市/ 2013.7.1-7.3） ■2013.6.26-6.28 発表題目 Vacancy-type defects in InGaN grown by metal organic chemical vapor deposition probed using a monoenergetic positron beam 著者 上殿明良,T. Tsutusi,T. Watanabe,S. Kimura, Y. Zhang,LOZACH Mickael,SANG Liwen,S.Ishibashi,角谷正友 学会名 55th Electronic Materials 開催場所・日時 University of Norte Dame(South Bend/ Indiana,USA 2013.6.26-6.28) ■2013.5.23-5.24 発表題目 III-V族窒化物薄膜の発電デバイスへの応用 / III-V族窒化物薄膜の発電デバイスへの応用 著者 角谷正友 学会名 第10回次世代の太陽光発電シンポジウム 開催場所・日時 石川県立音楽堂(金沢市/2013.5.23-5.24) ■2013.5.12-5.15 発表題目 Electrical Characterization of InGaN p-i-n junction and solar cell property 著者 角谷正友,中野由崇,Liwen Sang,LOZACHMickael,長谷川文夫 学会名 The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductions 開催場所・日時 Fullon Hotel Danshuei Fishermen's Wharf(淡水/台湾 2013.5.12-5.15) ■2013.5.12-5.15 発表題目 Very narrow temperature windo for lateral growht of ZnO thin films by laser heating mMMOCVD 著者 原田善之,角谷正友 学会名 The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductions 開催場所・日時 Fullon Hotel Danshuei Fishermen's Wharf(淡水/台湾 2013.5.12-5.15) ■2013.5.6-5.8 発表題目 Analysis of Decemposition Reaction of Chlorosilane Sources with Hydrogen Radical by Using Mass Spectroscopy 著者 角谷正友,久保田誠,石垣隆正 学会名 第3回アジア・アラブサステナブルエネルギーフォーラム 開催場所・日時 弘前大学（弘前市/2013.5.6-5.8） ■2013.4.23-4.25 発表題目 Angle-resolved analysis of surface band bending in InxGa1-xN films by hard X-ray photoemission spectroscopy 著者 角谷正友,LOZACHMickael,上田茂典,S. Liu,吉川英樹,B. Shen,X. Wang,SANGLiwen 学会名 LEDIA '13 開催場所・日時 パシフィコ横浜,（横浜市/ 2013.4.23-4.25） ■2013.3.27-3.30 発表題目 クロロシラン系原料分解における水素ラジカル発生源の検討 / クロロシラン系原料分解における水素ラジカル発生源の検討 著者 保田誠,池田直樹,鯉沼秀臣,石垣隆正,角谷正友 学会名 2013年春季第60回応用仏学関係連合講演会 開催場所・日時 神奈川工科大学（厚木市/2013.3.27-3.30） ■2013.3.7 発表題目 InGaN薄膜の欠陥評価と光電変換特性 著者 角谷正友 学会名 未来エネルギー技術に資する機能素材プロセッシング 開催場所・日時 東北大学多元物質科学研究所（仙台市/ 2013.3.7） ■2012.11.29-11.30 発表題目 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 著者 角谷正友,Liwen San, Mickael Lozac’h 学会名 電子情報通信学会技術研究報告会 開催場所・日時 大阪市立大学（大阪市/2012.11.29-11.30） ■2012.11.23-11.25 発表題目 Development of More than Siemens Si process for remarkable improvement in CVD reaction yield 著者 角谷正友 学会名 Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry 開催場所・日時 Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry（Novosibirsk/2012.11.23-11.25） ■2012.10.30-10.31 発表題目 Potentila of III-V Nitride Films for the Application to Photovoltaic Device 著者 角谷正友,上殿明良,中野由崇,本田徹 学会名 工学院大学125周年記念11th International Symposium on Advanced Technology(ISAT-Special) 開催場所・日時 工学院大学（八王子市/2012.10.30-10.31） ■2012.10.30-10.31 発表題目 Defect Characterization of InGaN Alloys Probed Using a Monoenergetic Positron Beam 著者 上殿明良,S.Ishibashi,R.Watanabe,X.Q.Wang,S.T.Liu,G.Chen,Liwen Sang,角谷正友,B.Shen 学会名 工学院大学125周年記念11th International Symposium on Advanced Technology(ISAT-Special) 開催場所・日時 工学院大学（八王子市/2012.10.30-10.31） ■2012.10.14-10.19 発表題目 Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE 著者 藤田陽平,Y.Takano.Y.Inoue,角谷正友,福家俊郎,中野貴之 学会名 International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 開催場所・日時 札幌コンベンションセンター（札幌市/2012.10.14-10.19） ■2012.10.14-10.19 発表題目 Photo-electricity energy conversion devices based on InGaN film 著者 Liwen Sang,Meiyong Liao,小出康夫,角谷正友 学会名 International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 開催場所・日時 札幌コンベンションセンター（札幌市/2012.10.14-10.19） ■2012.10.2-10.5 発表題目 Effect of hydrogen radical on decomposition of chlorosilane source gases 著者 角谷正友 学会名 11th APCPST&25th SPSM学会 開催場所・日時 京都大学ローム記念館（京都市左京区/2012.10.2-10.5） ■2012.9.23-9.28 発表題目 Photoelectrical energy-conversion devices based on III-Nitride semiconductions 著者 Liwen Sang,Meiyong Liao,池田直樹,小出康夫,角谷正友 学会名 IUMRS-International Conference on Electronic Materials(IUMRS-ICEM2012) 開催場所・日時 パシフィコ横浜（横浜市/2012.9.23-9.28） ■2012.9.11-9.14 発表題目 MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセスの開発 著者 藤田陽平，高野泰，井上翼，角谷正友，福家俊郎，中野貴之 学会名 2012年秋季　第73回　応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 松山大学（松山市/2012.9.11-9.14） ■2012.9.11-9.14 発表題目 極薄AlN挿入によるInGaN太陽電池特性の向上 著者 Liwen Sang,Meiyong Liao,池田直樹，小出康夫，角谷正友 学会名 2012年秋季　第73回　応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 松山大学（松山市/2012.9.11-9.14） ■2012.9.11-9.14 発表題目 InGaN厚膜の欠陥準位評価 著者 中野由崇, 新部正人, Mickael Lozac’h,Liwen San,角谷正友 学会名 2012年秋季　第73回　応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 松山大学（松山市/2012.9.11-9.14） ■2012.9.11-9.14 発表題目 低速陽電子ビームを用いたInxGa1-xN混晶の空孔型欠陥の検出 著者 渡邊智仁，上殿明良，石橋章司，X. Q. Wang，S. T. Liu，G. Chen，L. Sang，角谷正友， B. Shen 学会名 2012年秋季　第73回　応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 松山大学（松山市/2012.9.11-9.14） ■2012.8.9 発表題目 InGaN-based p-n junction solar cells 著者 Liwen Sang，角谷正友 学会名 Electronic Materials Meeting 2012(EMM 2012) 開催場所・日時 工学院大学（八王子市/2012.8.9） ■2012.7.16-7.19 発表題目 Growth and deep level defect evaluation of InGaN films for the application of photovoltaic devices 著者 角谷正友,Liwen Sang,Mickael Lozac’h,中野由崇 学会名 International Symposium of Growth of III-Nitrides(ISCN-4) 開催場所・日時 The Hotel Saint-petersburg(Russia/2012.7.16-7.19) ■2012.7.16-7.19 発表題目 High signal-to-noise ratio visible-blind photodetector by using slightly Mg-doping InGaN 著者 Liwen Sang,Meiyong Liao,小出康夫,角谷正友 学会名 International Symposium of Growth of III-Nitrides(ISCN-4) 開催場所・日時 The Hotel Saint-petersburg(Russia/2012.7.16-7.19) ■2012.3.4-3.8 発表題目 Schottky properties enhanced by using compensated Mg doped InGaN thin films material at interface metal-InGaN 著者 Mickael Lozac’h,中野由崇,Liwen Sang,迫田和彰,角谷正友 学会名 ISPlasma2012 開催場所・日時 中部大学（春日井市/2011.3.4-3.8） ■2012.2.23-2.23 発表題目 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 著者 角谷正友 学会名 連携ラボ第7回公開シンポジウム 開催場所・日時 東北大学多元研（仙台市/2012.2.23-2.23） ■2011.10.8-10.10 発表題目 MOCVDによるZnO薄膜成長 著者 角谷正友 学会名 Electronic Materials Meeting 2011 開催場所・日時 工学院大学　富士吉田セミナーハウス（富士吉田市/2011.10.8-10.10） ■2011.9.29-9.30 発表題目 Innovative fabrication of solar grade Si materials directed towards sustainable-energy society 著者 角谷正友 学会名 International Conference on”Minerals and Materials-Mongolia” 開催場所・日時 National University of Mongolia（モンゴル/2011.9.29-9.30） ■2011.8.23-8.26 発表題目 Hydrogen radical effect on Si production for more than Siemens process 著者 角谷正友 学会名 The 1st Asia-Arab Sustainable Energy Forum 開催場所・日時 Winc Aichi（名古屋市/2011.8.23-8.26） ■2011.4.14-4.14 発表題目 Effect of the polarity on wurtzitenitride and oxide materials grown by MOVPE and their new applicatio 著者 角谷正友 学会名 北京大学固体物理学セミナー 開催場所・日時 北京大学大学院固体物理研究所（北京/2011.4.14-4.14） ■2011.4.14-4.14 発表題目 Effect of polarity wurtzite nitride and oxide materials grown by MOVPE and their new application 著者 角谷正友 学会名 物性物理学ー北京大学フォーラム 開催場所・日時 北京大学（北京/2011.4.14-4.14） ■2011.3.24-3.27 発表題目 シーメンス法の技術革新 著者 角谷正友 学会名 2011年春季代58回応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 応用物理学会（2011.3.24-3.27） ■2011.8.29-9.2 発表題目 31p-ZE-8 GaN極性反転結晶成長におけるMg表面偏析効果の解明 著者 舘　毅,岩瀬賢俊,野木努,青木徹,中野貴之,角谷正友,福家俊郎 学会名 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 開催場所・日時 山形大学　小白川キャンパス（山形市/2011.8.29-9.2） ■2011.8.29-9.2 発表題目 30p-V-9 フラックスエピキタシー：C60六角板状結晶の生成とその成長過程 著者 武山洋子,丸山伸伍,安井伸太郎,舟窪浩,角谷正友,谷口博基,伊藤満,上野啓司,松本祐司 学会名 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 開催場所・日時 山形大学　小白川キャンパス（山形市/2011.8.29-9.2） ■2011.5.22-5.26 発表題目 CaF2挿入によるInGaN紫外線センサーの特性向上 著者 Liwen Sang, Meiyong Liao,小出康夫,角谷正友 学会名 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 開催場所・日時 鳥羽国際ホテル（鳥羽市/2011.5.22-5.26） ■2011.3.24-3.27 発表題目 極薄AIN挿入によるInGaN太陽電池特性の向上 著者 Liwen Sang,Meiyong Liao,池田直樹,小出康夫,角谷正友 学会名 2011年春季　第58回　応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 神奈川工科大学（厚木市/2011.3.24-3.27） ■2010.12.11 発表題目 次世代太陽電池における窒化物半導体太陽電池位置づけとそのロードマップ（招待講演） 著者 角谷正友、Liwen Sang, Mickael Lozac’h 学会名 光電相互変換第125委員会、ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第１６２委員会合同研究会 開催場所・日時 サンハトヤ（伊東市/2010.12.11 ■2010.11.4 発表題目 Suppression of Phase Separation in InGaN film and Fabrication of InGaN solar cells 著者 SANG Liwen, LOZACH Mickael, 角谷正友 学会名 平成22年度　窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会 開催場所・日時 東北大学片平さくらホール/2010.11.4 ■2010.10.7 発表題目 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用に向けた接合に関する研究 Study on the junction o fIII-V nitride films for the application of solar cell 著者 角谷正友, Sang Liwen, Mickeal Lozac'h 学会名 the 3td International symposium on innovative solar cells 開催場所・日時 東京工業大学　大岡山キャンパス蔵前工業会館/2010.10.7 ■2010.9.16 発表題目 窒化物半導体系太陽電池の可能性と課題（招待講演） Potential and issue of III-V nitride solar celll 著者 角谷正友 学会名 第71回秋季応用物理学会学術講演会　シンポジウム：未来型循環社会技術研究グループ企画「エネルギー変換デバイスの現状」 開催場所・日時 長崎大学/2010.9.16 ■2010.8.23 発表題目 MOCVDによるGaN,ZnO薄膜成長における極性構造効果（招待講演） Growth of wide band gap nitride and oxide films by metalorganic chemical vapor deposition 著者 角谷正友 学会名 IUMRS-ICEM 2010 開催場所・日時 KINTEX（韓国ソウル）/2010.8.23 ■2010. 7.22 発表題目 水素ラジカルによるSi形成（招待講演） Si production by using H-radical effect 著者 角谷正友 学会名 第56回マテリアルズ・テーラリング研究会 開催場所・日時 財団法人加藤科学振興会　軽井沢研修所/2010. 7.22 ■2010. 7/14-7/16 発表題目 Growth and characterization of InGaN film for solar cell application 著者 LOZACH Mickael,　迫田和彰、角谷正友 学会名 29th Electronic materials symposium 開催場所・日時 ラフォーレ修善寺/2010. 7/14-7/16 ■2010. 6.30 発表題目 革新的太陽電池Si形成プロセスの検討 Design and preliminary results of innovative Siemens Si process 著者 角谷正友、秋月智大、石垣隆正、橋本拓也、伊高健治、鯉沼秀臣 学会名 Renewable energy 2010 開催場所・日時 パシフィコ横浜会議センター/2010. 6.30 ■2010.6.1 発表題目 有機導電性薄膜/GaNハイブリッド太陽電池の界面評価Hetero-Interface Properties of Novel Hybrid Solar Cells based on Transparent Conductive Polymers 著者 松木伸行、中野由崇、色川芳宏、角谷正友 学会名 International conference on nanophotonics 2010 開催場所・日時 EPOCAL　TSUKUBA/2010.6.1 ■2010.3.20（20a-ZB-10） 発表題目 パルス変調熱プラズマを用いたSi生成Production of Si by using pulse-modulated thermal plasma 著者 秋月智大, 石垣隆正, 橋本拓也, 鯉沼秀臣, 角谷正友 学会名 第57回春季応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 東海大学/2010.3.20（20a-ZB-10） ■2010.3.19（19p-TB-5） 発表題目 Growth and characterization of thick InxGa1-xN films for photovoltaic application 著者 Mickael Lozac’h, K. Watanabe, S. Ueda, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, K. Sakoda and M. Sumiya 学会名 第57回春季応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 東海大学/2010.3.19（19p-TB-5） ■2010.3.17　（17ｐ－TL-11） 発表題目 第一原理計算によるZnO極性表面の安定水素終端構造と酸素極性面からのZnO成長機構　First principle calculation of hydrogen terminated polar ZnO surface and the growth mechanism along oxygen-polarity 著者 伊藤 清太郎，島崎 智実, 久保 百司, 鯉沼 秀臣, 角谷 正友 学会名 第57回春季応用物理学関係連合講演会 開催場所・日時 東海大学/2010.3.17　（17ｐ－TL-11）