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FIB-SEMダブルビーム装置(Xvision200) |
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製品名 |
Xvision200 |
メーカー名 |
SIIナノテクノロジー |
装置説明 |
本装置は、集束Gaイオンビームを照射することによって、試料の任意のエリアに対して、微細加工を施すことができます。加速電圧が可変であるため、試料、目的に合った任意パターンを加工することが可能です。走査電子顕微鏡(FE-SEM)も搭載しているため、二次電子像を観察しながら、微細加工、TEM試料作製などを行うことができます。また、カーボンデポジションガスをイオンビームもしくは電子ビーム照射エリア近傍に吹き付けることによって、任意のエリアにカーボンを堆積することが可能です。
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【仕様】 |
◆イオン光学系 |
◆電子光学系 |
◇ |
イオン源 |
Ga液体金属イオン源 |
◇ |
加速電圧 |
1~30kV |
◇ |
最大電流密度 |
30A/cm2 |
◇ |
最大走査範囲 |
2.0mm×2.0mm以下 |
◇ |
像分解能 |
4nm (加速電圧:30kV) |
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◇ |
電子銃 |
ZrO/W 電界放射型電子銃 |
◇ |
加速電圧 |
1~30kV |
◇ |
走査範囲 |
2.0mm×2.0mm以下 |
◇ |
像分解能 |
3nm (加速電圧:5kV) |
◇ |
試料ステージ駆動範囲 |
X:0~205mm Y:0~205mm
Z:0~10mm θ:360度
T:-5~+60度 |
◇ |
試料サイズ |
6インチφ, 3インチφ, 3インチφ以下 |
◇ |
その他 |
デポジションガスシステム(カーボン)
マイクロプロービングシステム |
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FIB加工装置(SMI9800SE) |
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製品名 |
SMI9800SE |
メーカー名 |
SIIナノテクノロジー |
装置説明 |
本装置は、集束Gaイオンビームを照射することによって、試料の任意のエリアに対して、微細加工およびWデポジションを施すことができます。試料ステージを90度垂直回転させることが可能なため、試料表面の加工だけでなく、試料断面に直接イオンビームを照射し、加工を施すことが可能です。また、走査電子顕微鏡(FE-SEM)を搭載しているため、二次電子像を観察しながらの加工を行うことができます。
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【仕様】 |
◆イオン光学系 |
◆電子光学系 |
◇ |
イオン源 |
Ga液体金属イオン源 |
◇ |
加速電圧 |
15~30kV |
◇ |
最大電流密度 |
10A/cm2 |
◇ |
最大走査範囲 |
最大2.4mm×2.4mm |
◇ |
像分解能 |
12nm (加速電圧:30kV) |
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◇ |
電子銃 |
ZrO/W 電界放射型電子銃 |
◇ |
加速電圧 |
0.5~25kV |
◇ |
走査範囲 |
最大1.0mm×1.0mm |
◇ |
像分解能 |
3nm (加速電圧:25kV), 10nm (加速電圧:1kV) |
◇ |
試料ステージ駆動範囲 |
X:0~200mm Y:0~200mm
Z:0~14mm θ:360度
T:0 ~ 90度 |
◇ |
試料サイズ |
8インチφ以下 |
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電界放出形走査電子顕微鏡 |
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製品名 |
S-4800 |
メーカー名 |
日立ハイテクノロジーズ |
装置説明 |
本装置は、電界放出形電子銃を用い、加速電圧は0.5~30kV可変、さらに試料ステージに減速電界を印加することにより0.1~2.0kVの低エネルギーで電子線を基板に照射することが可能であり、帯電しやすい試料でも1~2nmの高い二次電子分解能が得られます。また、電磁界直交信号検出法により二次電子と反射電子の信号比を制御し、様々な材料で高コントラストなSEM像が得られます。ステージは(X、Y、Z、R、T)の5軸全てがモーター駆動、容易にステージコントロールが可能です。さらに、測長機能を用い自動・手動による寸法および角度の測定が可能です。 |
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【仕様】 |
◇ |
電子銃 |
ZrO/W 電界放射型電子銃 |
◇ |
加速電圧 |
0.5~30kV (ノーマルモード) 0.1~2.0kV (リターディングモード) |
◇ |
2次電子像分解能 |
1.0nm @ 15kV (ノーマルモード)
1.4nm @ 1.0kV (リターディングモード)
2.0nm @ 1.0kV (ノーマルモード)
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◇ |
信号検出方式 |
Super ExB |
◇ |
倍率 |
20~800,000倍 |
◇ |
試料ステージ駆動範囲 |
X:0~110mm Y:0~110mm Z:1.5~40mm R:360度 T:-5~+70度
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◇ |
ステージ制御 |
5軸モーター駆動
ユーセントリックローテーション機能 |
◇ |
試料サイズ |
最大6インチφ |
◇ |
その他 |
断面観察用ホルダー装備
自動/手動測長機能 |
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コーティング装置 |
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製品名 |
E-1045 |
メーカー名 |
日立ハイテクノロジーズ |
装置説明 |
走査電子顕微鏡用試料等にターゲットをコーティングする装置です。マグネトロン電極の採用により、試料の損傷を少なくコーティングできます。標準ターゲットは、白金(Pt)です。
本装置にはカーボンコーティングユニットを付属しているため、カーボン(C)コーティングも可能です。カーボンは原子番号が小さいので反射電子象観察やX線分析を行う際の試料表面の導電処理に最適です。
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【仕様】 |
金属コーティングユニット |
カーボンコーティングユニット |
◇ |
放電 |
方式:ダイオード放電マグネトロン形
(電・磁場直行形)
電極形状:対向平行円板(マグネット埋め込み)
最高電圧:DC 0.4kV
最大電流:DC 40mA |
◇ |
ターゲット |
白金(Pt) |
◇ |
圧力調整範囲 |
7~20Pa |
◇ |
時間設定範囲 |
5~300sec |
◇ |
試料サイズ |
最大直径:60mm径, 最大高さ:20mm |
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◇ |
蒸着方式 |
直接通電加熱 |
◇ |
蒸着電源 |
AC 20V, 20A max |
◇ |
蒸着物質 |
カーボン(C) |
◇ |
蒸着距離 |
50~80mm可変 |
◇ |
試料サイズ |
最大直径:60mm径, 最大高さ:20mm |
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原子間力顕微鏡 |
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製品名 |
L-traceⅡ |
メーカー名 |
SIIナノテクノロジー |
装置説明 |
本装置は、極微細加工を施した立体ナノ構造の形状計測や、ナノ粒子、ナノチューブ等のナノ材料の形状観察に使用します。ステージには、最大6インチφ、22mm以下の厚さの試料を搭載でき、1スキャンでXY方向に90um、z方向に6umの計測が可能です。また、カンチレバー自動交換機構やレシピ登録自動測定機能を有しているため、効率良く測定を行うことが可能です。コンタクトモード測定(AFM)、共振モード測定(DFM)、摩擦力顕微鏡モード測定(FFM)、位相モード測定(PM)、SISモード測定(※)に対応しています。
(※)SISモード測定…測定ポイントのみ探針を接近させ、それ以外の時は探針を待避させ、試料形状に合わせて走査スピードを自在にコントロールする測定。
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【応用例】 |
【仕様】 |
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単層カーボンナノチューブの観察 |
ラインパターンの観察 |
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◇ |
分解能 |
垂直:0.01 nm, 画内:0.5 nm |
◇ |
試料サイズ |
6インチφ, 22 mm厚まで対応 |
◇ |
走査範囲 |
90um |
◇ |
試料移動範囲 |
X:±75mm, Y:+105, -5mm, Z:22mm |
◇ |
重ね合わせ精度 |
±0.1um以下 |
◇ |
測定モード |
AFM, FFM, DFM, PM, SIS |
◇ |
その他 |
カンチレバー自動交換機構
レシピ登録自動測定機能 |
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自動エリプソメータ |
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製品名 |
MARY-102FM |
メーカー名 |
ファイブラボ |
装置説明 |
本装置は、光源にスポット径0.8 mm のHe-Neレーザー(波長=632.8nm)を用い、 回転位相子法により反射光の偏光状態測定し、測定値(Δ、ψ)の領域に関係なく高精度な膜厚・屈折率の算定が可能です。測定は、X-Y-Z自動ステージ、オートフォース機能により容易に測定を行うことができ、また、付属のソフトウェアでは測定結果の解析の他、シミュレーション機能も含まれます。 |
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【仕様】 |
◇ |
測定方式 |
回転位相子法 |
◇ |
光源 |
0.8mW He-Neレーザー (波長:632.8nm) |
◇ |
ビーム径 |
0.8mmφ |
◇ |
入射角 |
50, 60, 70度 |
◇ |
測定精度 |
Δ=±0.01度, Ψ=0.01度 |
◇ |
解析精度 |
膜厚:0.1Å |
◇ |
試料ステージ |
6インチφ以下 |
◇ |
その他 |
オートフォーカス機能
CCDオートコリメータ
解析・シミュレーションソフト
測定レシピ管理機能 |
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触針式表面段差測定装置 |
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製品名 |
アルファステップIQ |
メーカー名 |
KLA-Tencor |
装置説明 |
本装置は、先端がダイヤモンドのスタイラス(触針)を用いて、各種基板上の膜などの段差、粗さ、表面形状を測定するために使用します。試料ステージは最大6インチφの基板に対応しており、ウエハー上の全エリアの多点測定が可能です。測定再現性が8Å(1σ)以下であるため、高精度な段差測定、表面形状評価を容易に行うことができます。 |
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【仕様】 |
◇ |
分解能 |
1.19pm (±10umレンジ) / 23.8pm (400umレンジ) |
◇ |
試料サイズ |
6 インチφ |
◇ |
走査距離 |
10mm |
◇ |
膜厚測定範囲 |
最大400um |
◇ |
測定再現性 |
8Å以下@1σ(保証有) |
◇ |
試料移動範囲 |
X方向:150mm, Y方向:80mm, 回転角:360度 |
◇ |
サンプリングレート |
2,5, 10, 20, 50, 100, 200um/s |
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3次元測定レーザー顕微鏡(低炭素ネットワークプロジェクト装置設備) |
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製品名 |
LEXT OLS4000 |
メーカー名 |
オリンパス |
装置特徴 |
1.405nm半導体レーザーによる高分解能観察が可能
2.白色光源による明視野観察が可能
3.レーザー光源および白色光源での微分干渉観察が可能
4.試料寸法,材料,形状を問わない(100mm×100mm以下の範囲)
5.非接触での2次元,3次元計測が可能
6.平面測定は測定値±2%,高さ測定は0.2+測定長/100mmの正確性 |
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【仕様】 |
◇ |
光源 |
405nm半導体レーザー |
◇ |
分解能 |
XY:0.12um, Z:0.01um |
◇ |
試料サイズ |
100mm×100mm |
◇ |
繰り返し性 |
XY:3σ=0.02um, Z:1σ=0.012um (対物レンズ100倍時) |
◇ |
正確性 |
XY:測定値の±2%以内, Z:0.2+(L/100)um以下 |
◇ |
その他 |
微分干渉ユニット |
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マイクロビーム型多機能高分解能X線回折装置 |
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製品名 |
D8 Discover |
メーカー名 |
Bruker |
装置説明 |
本装置は、回転対陰極型の強力X線源と4結晶法モノクロメータ、さらにX線コリメータを備えた光学系によって、サンプル上で最小φ50μmの微小領域に強力な平行X線ビームの照射が可能であり、薄膜材料の高分解能X線回折測定が行えます。 |
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【仕様】 |
◇ |
X線発生装置 |
6kW以上の出力を持つ回転対陰極発生装置 |
◇ |
ゴニオメータ |
エンコーダ制御の備わった横型2軸(ω/2θ)のゴニオメータで、種々の未知試料を正確に解析するために、ゴニオメータの実測角度保証精度が±0.01°以下である。 |
◇ |
試料ステージ |
薄膜試料を必要十分に軸立て、走査、揺動するために、5軸(x, φ, X, Y, Z)+チルト2軸(ζ, ξ)をもったモータ駆動の試料ステージ。3インチ以内のウエハ試料の全面マッピング評価が可能。
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◇ |
光学系 |
薄膜試料を効率良く測定するために、平行度の高いX線ビームを効率良く発生させられる曲面成膜法によるCu線源専用人工多層膜ミラー。4結晶モノクロメータは、分解能と強度を選択できるようGe(220)の対象カットおよび非対称カットの2種類を備えている。
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◇ |
検出器 |
オーソドックスなシンチレーション検出器と広範囲な逆空間測定を行うための1次元高速検出器の2種類を装備。
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◇ |
ソフトウエア |
高分解能X線回折測定に加え、反射率測定や反射小角測定など、評価と解析に必要な機能が備わっていること。特に、多くのユーザーが新規の未知試料を研究・開発する用途に利用するため、データ解析中にローカルミニマムに陥りづらいジェネティック法によるアルゴリズム解析が行え、全ての空間群でシミュレーションできる。また、最近の研究動向を踏まえ、GaNなどの化合物半導体においては非極性面のa面およびm面での解析ができる。
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