グラフェンが三層(厚さはおよそ1ナノメートル)からなるグラフェンシートに対し、電子線ビームリソグラフィと反応性イオンエッチング技術を用いてシートを直接加工することにより、電子を閉じ込める2つの近接した量子ドットや、電気伝導を制御する電極等のデバイス構造を全て同じ一枚のグラフェンシートで作製した。そして量子ドットの中に電子が1個ずつ入る単一電子デバイス動作の実証と、2つの量子ドット間の電子の結合をグラフェンゲート電極によって変化させることに成功し、最も基本的な集積化ナノデバイスである結合量子ドット素子を実現した。
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