略歴
平成7年 早稲田大学理工学部卒業
平成9年 早稲田大学大学院理工学研究科修士課程
物理及び応用物理学専攻修了
平成12年 東京大学大学院理学系研究科博士課程物理学専攻修了
平成12年 博士（理学）（東京大学） 取得
平成12年〜13年 日本学術振興会特別研究員（東京大学理学部）
ミクロなプローブを用いた半導体表面の電気伝導の計測について研究
平成13年〜16年 産業技術総合研究所特別研究員、
米国ヒューストン大学客員研究員（毎年、半年程度滞在）
電気特性評価のためのＡＦＭの開発
平成16年〜 物質・材料研究機構特別研究員
単分子・生体材料を用いた機能ネットワーク構築の研究
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原著論文
1: Torben M. Hansen, Kurt
Stokbro, Ole Hansen,Tue Hassenkam, Ichiro Shiraki, Shuji Hasegawa,
Peter Boggild: Resolution enhancement of scanning four-point-probe
measurement on two-dimensional systems Rev. Sci. Inst., 74(8),
3701-3708 (2003).
2: W. Yashiro, I. Shiraki, and K. Miki: A probe-positioning
method with two dimensional calibration pattern for micro-multi-point
probes, submitted to Rev. Sci. Inst.74-5 (2003) 2722-2725.
3: S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Kanagawa,
T. Tanikawa, I. Matsuda, C. L. Petersen, T. M. Hansen, P.
Boggild, F. Grey: Electrical conduction through surface superstructures
measured by microscopic four-point probes, Surface Review
and Letters, 10, 963-980 (2003).
4: S. Hasegawa, I. Shiraki, T. Tanikawa, C. L. Petersen, T.
M. Hansen, P. Goggild, and F. Grey: Direct measurement of
surface-state conductance by microscopic four-point probe
method, J. Phys.: Cond. Matter 14 (2002) 8379-8392
5: S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, and R. Hobara: Transport
at surface nanostructures measured by four-tip STM, Current
Appl. Phys. 2 (2002) 465-471
6: F. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa：Electromigration
and phase transformation of Ag on a Cu-precovered Si(111)
surface, Surface Science 493 331-337 (2001).
7: I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, S. Hasegawa：Independently
driven four-tip probes for conductivity measurements in ultlahigh
vacuum, Surface Science. 493, 633-643 (2001).
8: S. Hasegawa, N. Sato, I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild,
T. M. Hansen, T. Nagao, F. Grey：Surface-state bands on silicon
? Si(111)-√3×√3-Ag surface superstructure ?, Japanese Journal
of Applied Physics 39, 3815-3822 (June, 2000).
9: F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa: Diffusion
Anisotropy of Ag and In on Si(111) Surface Studied by UHV-SEM,
Ultramicroscopy 85, 23-33 (Aug, 2000).
10: F. X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa: Substrate-structure
dependence of Ag electromigration on Au-precovered Si(111)
surfaces, Japanese Journal of Applied Physics 39, 4438-4442
(July, 2000).
11: I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa, C. L. Petersen, P.
Boggild, T. M. Hansen, F. Grey：Micro-Four-Point Probes in
a UHV-Scanning Electron Microscope for In-Situ Surface Conductivity
Measurements, Surface Review and Letters 7 (Nos. 5&6)
533-537 (2000, Dec).
12: C. L. Petersen, F. Grey, I. Shiraki, S. Hasegawa：Microfour-point
probe for studying electronic transport through surface states,
Appl. Phys. Lett. 77 (No. 23) 3782-3784 (2000, Dec)
解説記事
1: 長谷川修司、白木一郎、田邊輔仁、保原麗、金川泰三、松田巌：４探針ＳＴＭの開発と表面電子輸送の測定、電子顕微鏡、38,
36 (2003).
2: 長谷川修司、白木一郎、谷川雄洋、C. L. Petersen、F. Grey:
マイクロ４端子プローブによる表面電気伝導の測定、固体物理 37(5)
(2002) 2997:-308
3: 長谷川修司、白木一郎、田邊輔仁、保原麗、金川泰三、谷川雄洋、松田巌、Christian
L. Petersen、Torben M. Hanssen、Peter Boggild、Francois Grey:
ミクロな４端子プローブによる表面電気伝導の測定、表面科学 23
(12) (2002) 740-752
4: 長谷川修司、白木一郎、田邊輔仁、Francois Grey：半導体表面での電子輸送
?点接触トランジスタから多探針STM?, 応用物理 70, 1165-1171
(2001).
特許リスト
―主要特許−
1: 特願2002-295374： 発明者 三木一司、矢代航、白木一郎
「多探針走査型顕微鏡の探針相対位地校正テンプレート」
出願人 物質・材料研究機構、産業技術総合研究所 ( 2002.10.8
出願)
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