半導体ナノ構造物質グループ
半導体ナノ材料の高度複合機能化による新機能発現
半導体ナノ材料はバルクに無い新規な特性を発現することから、新たなデバイス応用が期待されている。本研究グループでは、ナノ構造化した半導体材料を高度に複合機能化することで、半導体材料に新しい特性・優れた機能を発現させることを目指しています。研究ターゲットは、トランジスタに代表されるエレクトロニクス分野はもちろんのこと、光電変換・バッテリ材料等の環境・エネルギー材料まで幅広く取り組んでいます。
専門分野・研究対象
次世代エレクトロニクス材料の開発とデバイス応用
従来通りのサイズ縮小によるトランジスタの性能向上には限界がきています。そこで、SiとGeからなる特殊なナノワイヤを利用したトランジスタのチャネル材料の研究を行っています。不純物のドーピング領域とキャリアの輸送領域を分離した構造を構築することにより、不純物散乱を徹底的に抑制できる高移動度チャネルの実現を目指します。
更に、IV族半導体材料に新たな発光デバイスの可能性を開くGeSn系材料に関する研究も精力的に推進しています。
更に、IV族半導体材料に新たな発光デバイスの可能性を開くGeSn系材料に関する研究も精力的に推進しています。
次世代環境エネルギー材料の開発
次世代の光電変換材料として有望なSiナノ構造体を機能的に複合化し、グリーン・イノベーション推進のためのSi材料の削減による低コスト化および変換効率向上を両立した、これまでに無い新しい次世代光電変換材料の開発とその実用化における基礎・基盤技術を確立することを目指しています。また、バッテリ材料の特性を大幅に改善するために、特殊なナノ構造材料の開発も行っています。
