交代磁性を実証｜CMSM

温振超主任研究員、Cong Heポスドク研究員、介川裕章グループリーダー、三谷誠司上席研究員、大久保忠勝副センター長らは東京大学、京都工芸繊維大学、東北大学と共同で、二酸化ルテニウム薄膜が第三の磁性体である交代磁性を示すことを実証しました

温振超主任研究員、Cong Heポスドク研究員、介川裕章グループリーダー、三谷誠司上席研究員、大久保忠勝副センター長らは東京大学、京都工芸繊維大学、東北大学と共同で、二酸化ルテニウム（RuO₂）薄膜が第三の磁性体である交代磁性を示すことを実証しました。

「第三の磁性体」は、強磁性体を用いたメモリの問題点を解決し得るものであり、高速・高密度な次世代メモリ素子として応用が期待されています。本研究により、RuO₂がその有力候補であることに加え、結晶配向制御による機能向上の可能性も示されました。

• ・"Evidence for single variant in altermagnetic RuO₂(101) thin films", C. He, Z. Wen, J. Okabayashi, Y. Miura, T. Ma, T. Ohkubo, T. Seki, H. Sukegawa, and S. Mitani, Nat. Commun. 16, 8235 (2025) .
• ・《プレスリリース》AI時代を支える新磁性体、二酸化ルテニウム薄膜の「交代磁性」を実証 〜 AI・データセンター向け高速・高密度メモリ開発に期待 〜

図: X線磁気線二色性とスピンの向きで示した単一配向RuO₂薄膜の交代磁性の概念図。