これまでの新着情報
- 2024年3月 水素終端ダイヤモンドの表面近くに形成された窒素・空孔(NV)センターのスピン状態制御についての論文がACS Applied Materials & Interfaces誌に掲載されました。(ACS Appl. Mater. Interfaces 16, 13212 (2024))
- 2023年9月 熊本高専の坂井さんと光永さんがインターンシップ生として滞在しました。
- 2023年4月 ポスドク研究員を募集しています。詳しくはこちら（NIMSの募集ページ）をご覧下さい。
- 2023年4月 生活費の支援を受けながら大学院生としてダイヤモンド半導体の研究を一緒にしませんか。NIMSジュニア研究員の募集が始まっています。
- 2022年9月 熊本高専の浦上さんと太田さんがインターンシップ生として1か月間滞在し、ダイヤモンド電界効果トランジスタを作製しました。
- 2021年12月 ダイヤモンドを使った高移動度pチャネルワイドバンドギャップ電界効果トランジスタについての論文がNature Electronics誌に掲載されました。(SharedIt 閲覧用PDF)
- 2021年11月 笹間さんが第51回（2021年秋季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました!
- 2021年6月 笹間さんが国際会議「14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2020/2021」において「Gold Young Scholar Award」を受賞しました!
- 2021年3月 笹間さんがMANA International Symposium 2021において、Excellent Poster Presentation Awardを受賞しました!
- 2020年5月 ダイヤモンド電界効果トランジスタの移動度についての論文がJournal of Applied Physics誌にEditor's Pickとして掲載されました。(Journal of Applied Physics 127, 185707 (2020))
- 2019年12月 六方晶窒化ホウ素(h-BN)を利用したダイヤモンド電界効果トランジスタの量子振動についての論文がPhysical Review Materials誌に掲載されました。(Physical Review Materials 3, 121601(R) (2019))
- 2019年5月 笹間君が第32回ダイヤモンドシンポジウムにおいて、優秀講演賞を受賞しました!
- 2018年11月 六方晶窒化ホウ素(h-BN)を利用したダイヤモンド高移動度トランジスタについての論文がAPL Materials誌にFeatured Articleとして掲載されました。(APL Materials 6, 111105 (2018))
- 2018年10月 イオン液体を使った電界効果トランジスタの低温測定手法についての論文がReview of Scientific Instruments誌に掲載されました。(Review of Scientific Instruments 89, 103903 (2018))
- 2018年9月 笹間君が国際会議「29th International Conference on Diamond and Carbon Meterials」において「Elsevier Gold Young Scholar Award」を受賞しました! ⇒写真
- 2017年10月 水素終端シリコン電気二重層トランジスタの低温特性についての論文がJ. Phys. Soc. Jpn.誌に掲載されました。(J. Phys. Soc. Jpn. 86, 114703 (2017))
- 2017年9月 笹間君がTsukuba Global Science Week (TGSW) 2017においてBest Poster Awardを受賞しました!
- 2017年8月 東京電機大学の鈴木君がインターンシップで滞在しました。
- 2016年12月 シリコン電気二重層トランジスタの論文がJ. Phys. Soc. Jpn.誌に掲載されました。(J. Phys. Soc. Jpn. 86, 014703 (2017))
- 2016年10月 ダイヤモンド(100)表面の特異な磁気抵抗効果についての論文がPhys. Rev. B誌に掲載されました。(Physical Review B 94, 161301(R) (2016))