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多目的ドライエッチング装置 |
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製品名 |
RIE-200NL |
メーカー名 |
サムコ |
装置説明 |
本装置は、平行平板電極に高周波を印加することでガスをプラズマ化し、一方の電極上に置かれた試料に、反応性ラジカル種やイオンを照射することによりエッチングを行う装置です。 |
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【応用例】 |
【仕様】 |
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レジストをマスクにしたSiO2の
ラインパターンエッチング |
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◇ |
プラズマ励起方式 |
平行平板高周波印加型 |
◇ |
電源出力 |
300W以下 |
◇ |
プロセスガス |
O2, SF6, CF4, CHF3, N2, Ar |
◇ |
試料サイズ |
最大8インチφ |
◇ |
その他 |
PC制御全自動運転機能
プロセスレシピ管理機能 |
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化合物ドライエッチング装置 |
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製品名 |
RIE-100iPH |
メーカー名 |
サムコ |
装置説明 |
本装置は、誘導結合プラズマ(ICP)により高効率・高密度のプラズマを発生させ、反応性ラジカル種やイオンを材料表面に照射することによりエッチングを行う装置です。高密度プラズマは極微細パターンの高速エッチングを可能にし、さらに、プラズマ励起電力とイオンにエネルギーを付加するバイアス電力を独立に制御できるため加工形状の制御に優れています。またICP特有の表皮効果によりイオンの直進性に優れた垂直なエッチングが可能です。 |
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【応用例】 |
【仕様】 |
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アルミニウムホールの
三角格子配列エッチング |
SiO2をマスクとしたSiの
ラインパターンエッチング |
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◇ |
プラズマ励起方式 |
誘導結合型 |
◇ |
電源出力 |
ICP出力：1kW以下, バイアス出力：300W以下 |
◇ |
プロセスガス |
O2、SF6、Ar、Cl2、BCｌ3、SiCl4、Xe |
◇ |
試料サイズ |
最大3インチφ |
◇ |
基板温度制御 |
50～200℃ |
◇ |
その他 |
PC制御全自動運転機能
プロセスレシピ管理機能 |
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酸化膜ドライエッチング装置（低炭素研究ネットワークプロジェクト装置設備） |
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製品名 |
MUC-21 RV-APS-SE |
メーカー名 |
住友精密工業 |
装置特徴 |
１．酸化物・化合物エッチングプロセス用に最適化された高密度プラズマによる高速深堀エッチングが可能
２．8系統の反応ガスを接続しており，酸化膜以外にもSiNやSiCなどの種々化合物エッチングが可能
３．コンピュータ制御による全工程自動運転が可能
４．小片基板から6インチウエハーまで適応しているため、基礎基盤研究から半量産型研究までを行うことが可能
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【応用例】 |
【仕様】 |
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SiO2の高速深堀エッチング
（エッチングレート>0.5um/min）
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SiO2の高アスペクトエッチング
（アスペクト比>10） |
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◇ |
プラズマ励起方式 |
誘導結合型 |
◇ |
電源出力 |
ICP出力：3kW以下, バイアス出力：600W以下 |
◇ |
プロセスガス |
CHF3、C2F6、C4F8、SF6、Ar、O2、He |
◇ |
試料サイズ |
最大6インチφ |
◇ |
基板温度制御 |
-10～40℃ |
◇ |
その他 |
PC制御全自動運転機能
プロセスレシピ管理機能 |
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シリコン深堀エッチング装置 |
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製品名 |
MUC-21 ARE-SRE |
メーカー名 |
住友精密工業 |
装置説明 |
本装置は、誘導結合プラズマ(ICP)により高効率・高密度のプラズマを発生させ、反応性ラジカル種やイオンを材料表面に照射することによりエッチングを行う装置です。ボッシュプロセスでは、SF6によるエッチングとC4F8による保護膜の形成を交互に繰り返すことで、高アスペクト比シリコンエッチングが可能です。また、エッチング深さ（もしくは時間）によってエッチングサイクル/デポジションサイクルを変化させるなど、高精度エッチングを可能にする機能が搭載されています。
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【応用例】 |
【仕様】 |
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Siの矩形パターン深堀エッチング |
Siの線幅1umラインパターン
深堀エッチング（深さ40um） |
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◇ |
プラズマ励起方式 |
誘導結合型 |
◇ |
電源出力 |
ICP出力：1kW以下, バイアス出力：100W |
◇ |
プロセスガス |
SF6, C4F8, Ar, O2 |
◇ |
試料サイズ |
3インチφ |
◇ |
基板温度制御 |
5～35℃ |
◇ |
その他 |
PC制御全自動運転機能
プロセスレシピ管理機能 |
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